[发明专利]由基体材料形成的细间距探测器阵列

权利要求书

1.一种制品，包括：

探测器阵列，其中，每个探测器包括：

探头端部，该探头端部适用于接触集成电路测试点；

所述探头端部被安装在探测器手指结构上；

其中，所述阵列的所有探测器手指结构具有相同的材料晶粒结构。

2.根据权利要求1所述的制品，其中，所述探测器手指结构具有非线性轮廓。

3.根据权利要求2所述的制品，其中，所述探测器手指结构被配置作为弹性部件。

4.根据权利要求1所述的制品，还包括：

所述探测器手指结构上的导电金属涂层，其中，所述涂层与所述探头端部电接触。

5.根据权利要求1所述的制品，其中，所述探头端部包括除金以外的贵金属。

6.根据权利要求1所述的制品，其中，所述探测器阵列的所述探头端部被排列在小于50μm的网格上。

7.根据权利要求1所述的制品，其中，所述探测器阵列被功能性地耦合到空间变换衬底，所述空间变换衬底用于将所述探测器阵列的间距变换为更大的间距。

8.一种方法，包括：

获取具有基本平行的第一和第二表面的基体材料；

在所述第一表面上形成探测器基底；

在所述探测器基底上形成适用于接触集成电路测试点的探头端部；

将所述第二表面安装到载体晶片；

移除部分所述基体材料，以形成耦合到所述探测器基底和所述探头端部的探测器手指结构；以及

利用电耦合到所述探头端部的导电金属涂覆所述探测器手指结构。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成探测器基底和形成探头端部的处理包括光刻。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述探头端部包括铑(Rh)。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述移除处理包括深反应离子刻蚀(DRIE)。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述移除处理包括电火花线切割加工(wire-EDM)。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在所述涂覆处理之前，遮盖所述探头端部。

14.根据权利要求8所述的方法，其中，所述移除处理形成了非线性的探测器手指结构。

15.一种用于测试集成电路的电子探测器阵列，包括：

多个独立探测器，该多个独立探测器被机械耦合并且被电绝缘，

其中，每个所述独立探测器包括被功能性地耦合到探测器手指结构的探头端部，

其中，所述探头端部与所述探测器手指结构具有不同的材料，

其中，所述探头端部被配置用于接触集成电路测试点，

其中，每个探测器手指结构由同一块基体材料形成，并且

其中，每个所述独立探测器都涂覆有导电金属。

16.根据权利要求15所述的电子探测器阵列，其中，所述探测器手指结构具有非线性轮廓。

17.根据权利要求15所述的电子探测器阵列，其中，所述探测器手指结构被配置作为弹性部件。

18.根据权利要求15所述的电子探测器阵列，还包括：

空间变换衬底，所述空间变换衬底用于将所述多个独立探测器的间距变换为更大的间距。

19.根据权利要求15所述的电子探测器阵列，其中，所述探头端部包括贵金属。

20.根据权利要求15所述的电子探测器阵列，其中，所述多个独立探测器中的两个独立探测器的彼此距离小于50μm。