[发明专利]薄型、空间高效的电路屏蔽有效
| 申请号: | 201380010490.7 | 申请日: | 2013-02-21 |
| 公开(公告)号: | CN104137245B | 公开(公告)日: | 2017-12-12 |
| 发明(设计)人: | S·X·阿诺德;S·P·穆林斯;J·M·托马;R·钱德拉塞卡尔 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H05K3/34;H05K9/00 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 冯玉清 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 薄型 空间 高效 电路 屏蔽 | ||
1.一种小外形屏蔽设备,包括:
集成电路组件,所述集成电路组件包括:
集成电路,和
基体,所述基体由绝缘材料形成并且完全封装所述集成电路;
适形的电磁干扰EMI屏蔽,所述适形的电磁干扰EMI屏蔽由围绕所述集成电路组件的柔性导体形成,并且被配置为适形于所述集成电路组件的顶部部分和底部部分的形状使得包括所述适形的EMI屏蔽和所述集成电路组件的被盘绕的集成电路组件与单独的所述集成电路组件同样大小;
柔性电路,所述柔性电路与所述适形的EMI屏蔽耦合并且包括彼此分离且区别的电气地导电的通路,所述电气地导电的通路中的至少一个电气地导电的通路与所述适形的EMI屏蔽电气地耦合并且通过所述适形的EMI屏蔽接地;和
通孔,所述通孔围绕所述集成电路的周边而设置,所述通孔中的每一者从所述基体的所述顶部部分延伸至所述基体的所述底部部分,从而将所述适形的EMI屏蔽的第一部分电耦合至沿着所述底部部分设置的所述适形的EMI屏蔽的第二部分。
2.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,其中所述通孔中的至少一个通过激光形成。
3.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,还包括将所述适形的EMI屏蔽的顶部部分和底部部分彼此耦合的导电边缘电镀层。
4.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,其中所述适形的EMI屏蔽的顶部部分和底部部分由薄金属箔形成。
5.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,其中所述适形的EMI屏蔽与所述集成电路电耦合。
6.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,其中所述适形的EMI屏蔽与所述集成电路电隔离。
7.根据权利要求1所述的小外形屏蔽设备,还包括嵌入在所述基体中的至少一个无源器件。
8.根据权利要求7所述的小外形屏蔽设备,其中所述至少一个无源器件为电阻器、电容器或电感器中的一者。
9.根据权利要求7所述的小外形屏蔽设备,其中所述至少一个无源器件与所述集成电路电气连通。
10.一种形成小外形屏蔽设备的方法,包括:
将集成电路嵌入到基体中,所述集成电路在其上具有多个导电接触焊盘并且所述基体由绝缘材料形成;
对应于所述多个导电接触焊盘,在所述基体中形成多个通孔,使得所述多个通孔电气连通至和电气连通自所述集成电路;
通过以柔性导体围绕所述嵌入式集成电路来创建适形的EMI屏蔽,其中所述适形的EMI屏蔽电耦合至所述多个导电接触焊盘中的至少一个接地的导电接触焊盘;以及
将包括彼此分离且区别的电气地导电的通路的柔性电路与所述适形的EMI屏蔽耦合,使得所述电气地导电的通路中的至少一个电气地导电的通路与所述适形的EMI屏蔽电气地耦合并且通过所述适形的EMI屏蔽接地。
11.根据权利要求10所述的方法,还包括形成将所述适形的EMI屏蔽的顶部部分和底部部分彼此耦合的导电边缘电镀层。
12.根据权利要求10所述的方法,还包括在所述基体中围绕所述集成电路的周边形成金属填充的通孔,所述金属填充的通孔将所述适形的EMI屏蔽的顶部部分和底部部分彼此耦合。
13.根据权利要求10所述的方法,还包括将至少一个无源器件嵌入在所述基体中。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述至少一个无源器件为电阻器、电容器或电感器中的一者。
15.根据权利要求10所述的方法,还包括将所述多个通孔中的至少一个电耦合至印刷电路板上的多个触点中的至少一个。
16.根据权利要求12所述的方法,其中所述适形的EMI屏蔽被形成为其中具有开口,所述开口对应于多个通孔的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





