[发明专利]氧化物溅射靶以及光记录介质用保护膜无效
| 申请号： | 201380008362.9 | 申请日： | 2013-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN104136655A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 斋藤淳;森理惠 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/453;G11B7/257;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 齐葵;周艳玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 溅射 以及 记录 介质 保护膜 | ||
1.一种氧化物溅射靶，其特征在于，
所述氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，余量由Zn及不可避免杂质构成。
2.一种氧化物溅射靶，其特征在于，
所述氧化物溅射靶为如下氧化物烧结体，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，另外含有共计1.0～20.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免杂质构成。
3.一种光记录介质用保护膜，其特征在于，
利用权利要求1所述的氧化物溅射靶而被溅射成膜，
所述光记录介质用保护膜为如下成分组成的氧化物，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，余量由Zn及不可避免杂质构成。
4.一种光记录介质用保护膜，其特征在于，
利用权利要求2所述的氧化物溅射靶而被溅射成膜，
所述光记录介质用保护膜为如下成分组成的氧化物，即相对于金属成分总量，含有共计0.15at％以上的Al、Ga及In中的一种以上和7at％以上的Sn，其中Al、Ga、In及Sn共计36at％以下，另外含有共计1.0～20.0at％的Ge及Cr中的一种以上，余量由Zn及不可避免杂质构成。
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