[发明专利]发光二极管封装件有效
| 申请号: | 201380007586.8 | 申请日: | 2013-01-31 |
| 公开(公告)号: | CN104094423B | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
| 发明(设计)人: | 朴宰贤 | 申请(专利权)人: | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人: | 韩芳,龚振宇 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 | ||
1.一种发光二极管封装件,包括:
至少三个发光二极管芯片;
第一引线部,包括所述至少三个发光二极管芯片分别安装在其上的至少三个芯片安装部分;
第二引线部,与第一引线部分离并分别通过布线连接到发光二极管芯片;以及
基底,第一引线部和第二引线部形成在基底上,
其中,所述至少三个芯片安装部分布置在发光二极管封装件的光轴穿过其的基底的中心周围,
其中,所述发光二极管封装件还包括:
腔,容纳发光二极管芯片;以及
反射件,设置在基底上,
其中,反射件包括:第一腔板,堆叠在基底的上表面上并具有第一腔孔;第二腔板,堆叠在第一腔板上并具有第二腔孔,第二腔孔具有比第一腔孔的直径大的直径;反射层,涂覆在第一腔孔的倾斜的内周边表面上并延伸到因第一腔孔和第二腔孔之间的直径差而形成在第二腔板上的阶梯面;第三腔板,堆叠在第二腔板上并且形成有具有比第二腔孔的直径大的直径的第三腔孔,
其中,当将水平线和从发光二极管芯片之间的中间点延伸到反射层的上端的假想线之间的角限定为θ1、将水平线和从所述中间点延伸到位于反射层的上侧处的阶梯状部分的内边缘的假想线之间的角限定为θ2、将水平线和从所述中间点延伸到反射件的上端的假想线之间的角限定为θ3时,满足θ1比θ2和θ3大。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,第一引线部沿第一方向延伸以在基底的一侧处形成至少三个主要下端子,第二引线部在与第一方向相反的第二方向延伸以在基底的另一侧处形成至少三个次要下端子。
3.根据权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,所述至少三个芯片安装部分在中心周围以固定的角度布置。
4.根据权利要求2所述的发光二极管封装件,其中,第一引线部包括至少三个主要上端子和至少三个第一通孔,其中,所述至少三个主要上端子形成在基底的上表面上以具有所述至少三个芯片安装部分和分别沿第一方向从所述至少三个芯片安装部分延伸的至少三个延伸部,所述至少三个第一通孔贯穿基底以使所述至少三个延伸部分别连接到形成在基底的下表面上的所述至少三个主要下端子,第二引线部包括至少三个次要上端子和至少三个第二通孔,其中,所述至少三个次要上端子位于所述至少三个芯片安装部分外部并分别通过键合引线电连接到所述至少三个发光二极管芯片,所述至少三个第二通孔贯穿基底以使所述至少三个次要上端子分别连接到所述至少三个次要下端子。
5.根据权利要求2至权利要求4中的任意一项权利要求所述的发光二极管封装件,其中,基底在其下表面上形成有散热垫,散热垫位于所述至少三个主要下端子和所述至少三个次要下端子之间。
6.根据权利要求5所述的发光二极管封装件,其中,散热垫的面积比所述至少三个芯片安装部分的总面积大。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,发光二极管芯片与中心分开固定的距离。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,还包括:
透光包封材料,通过利用透光树脂填充腔来形成。
9.根据权利要求8所述的发光二极管封装件,其中,反射层形成为与腔的中间高度相对应的高度,透光包封材料覆盖反射层的上端。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,还包括:热沉,设置在基底内部。
11.根据权利要求10所述的发光二极管封装件,其中,基底包括:第一绝缘板,形成有填充有热沉的填充槽;第二绝缘板,堆叠在第一绝缘板上以覆盖填充槽。
12.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述至少三个发光二极管芯片包括从白芯片、蓝芯片、绿芯片和红芯片之中选择的至少三个。
13.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,四个芯片安装部分布置在中心周围,发光二极管芯片包括分别安装在四个芯片安装部分上的白芯片、蓝芯片、绿芯片和红芯片。
14.根据权利要求1所述的发光二极管封装件,其中,所述至少三个芯片安装部分中的两个被布置成相对于中心在对角线方向上彼此相邻,白芯片和蓝芯片分别安装在对角线方向上彼此相邻的所述两个芯片安装部分上。
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