[发明专利]放射线固化型切割用粘合带

说明书

技术领域

本发明涉及在为了使半导体晶片等实现元件小片化而对其进行切割(dicing)时用于固定该半导体晶片等被切断体的粘合带。

背景技术

以往的半导体装置通过使设置于基板上的半导体芯片通过引线接合(wire bonding)进行导电连接而制造。近年来，对应于使机器进一步小型化、薄型化、轻量化的要求，对以这些机器内部所使用的半导体装置为代表的电子部件也有同样的要求。为了实现电子部件的小型化，提出了例如层叠半导体芯片以实现高密度安装的三维安装技术(例如参照专利文献1)。此外，作为进行三维安装技术的方法，例如提出了形成贯通芯片的电极(贯通电极)、并经由该电极层叠有称为插入物(interposer)的安装用芯片的半导体封装结构(例如参照专利文献2)。

目前正在研究如下技术：使形成有贯通电极的晶片切断分离成元件小片(半导体芯片)(切割(dicing)工序)，并且在对这些半导体芯片进行拾取的工序(拾取(pick-up)工序)中使用具有放射线固化型粘合层的晶片切割加工用粘合带。

在使用具有放射线固化型粘合层的切割用粘合带时，在切割工序中必须充分地保持晶片。然而，设置有贯通电极的晶片通常在一面或两面具有高度为3～几十μm的贯通电极的突起部。因此，即便贴合以往的切割加工用粘合带，大多也无法追随该突起部而无法保持晶片。另外，该结果会导致在贯通电极的突起周边部产生空隙。通常，在切割工序中利用被称为刀片(blade)的旋转刀刃对芯片进行单片化。在粘合剂层与贯通电极的突起周边部之间具有空隙而无法充分地保持晶片时，因切削时的冲击而使芯片振动，引起刀片与芯片的冲撞，产生芯片缺损(破裂(chipping))而降低芯片的成品率。

为了消除切割工序时的不良情况，提出了使粘合剂层的凝胶分率及10℃的储存弹性模量在特定范围内的放射线固化型切割用粘合带(例如参照专利文献3)。对于专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，通过使其具有使凝胶分率和储存弹性模量在特定范围内的粘合剂层，从而消除了切割工序时的上述不良情况。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-50738号公报

专利文献2：日本特开2005-236245号公报

专利文献3：日本特开2006-202926号公报

发明内容

发明要解决的课题

然而，对于上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带而言，在进行切割后，对粘合剂层照射放射线而使其固化，由此使粘合力降低，此时，由于粘合剂层固化收缩，因此使粘合剂层包住(日文原文：噛みこむ)贯通电极等的晶片表面的突起，导致产生无法良好地拾取经切割后的半导体芯片的问题。在上述专利文献3的放射线固化型切割用粘合带中，使用含有因刺激而产生气体的气体产生剂的粘合剂。然而，在粘合剂中产生气体的机制中，由于粘合剂变脆，因此可能产生粘合剂碎屑对芯片的附着(残胶)、使成品率降低。

因此，本发明的目的在于提供一种放射线固化型切割用粘合带，其即使对设置有贯通电极的半导体芯片等也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。

用于解决上述课题的手段

为了解决上述课题，本发明的放射线固化型切割用粘合带，其特征在于，其是在基材片上设置有放射线固化型粘合剂层的放射线固化型粘合带，其在放射线固化后的杨氏模量相对于其在放射线固化前的杨氏模量的比为1.0～1.8。

上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的储存弹性模量G’为1.8×10⁴～4.7×10⁴Pa。

此外，上述放射线固化型切割用粘合带优选使上述粘合剂层在放射线固化前的损失系数tanδ为0.20～0.35。

此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合在切割半导体晶片时使用。

此外，上述放射线固化型切割用粘合带适合使用在上述半导体晶片在与上述粘合剂层贴合的面具有突起物或段差的情况。

发明效果

根据本发明，可减少切割工序中的破裂，且即使对设置有贯通电极的半导体芯片也能在拾取工序中容易地进行拾取而不会产生残胶。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式的放射线固化型切割用粘合带的结构的示意性剖面图。

图2是表示使用本发明的实施例的放射线固化型切割用粘合带所切断的芯片的结构的示意性俯视图平面图。

具体实施方式

以下对本发明的实施方式进行详细说明。