[发明专利]真空蒸镀装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种使蒸镀材料在基板等的多种被蒸镀体上蒸镀，来形成薄膜的真空蒸镀装置。

背景技术

真空蒸镀装置在真空室内配置含有蒸镀材料的蒸发源和基板等的被蒸镀体，在使真空室内减压后的状态下，将蒸发源加热使蒸发源气化，而使该气化后的蒸镀材料在被蒸镀体的表面上堆积来形成薄膜。但是，存在从蒸发源气化出的蒸镀材料一部分不向被蒸镀体行进，不在被蒸镀体的表面附着的情况。若这种不在被蒸镀体上附着的蒸镀材料增多，则成为材料使用効率的下降及蒸镀速度的下降的原因。因此，一种用筒状体包围蒸发源和被蒸镀体对置的空间，以使蒸镀材料再蒸发的温度将该筒状体加热，使气化后的蒸镀材料，在筒状体内通过而在被蒸镀体的表面进行蒸镀的真空蒸镀装置，已为众所周知(例如，参见专利文献1)。

但是，例如在有机EL设备等的制造中，需要在利用真空蒸镀装置制作有机半导体层时，在1个筒状体内使多类蒸镀材料混合，使混合膜蒸镀在被蒸镀体的表面。可是，这种情况下，假使在筒状体内配置1个膜厚计，监视蒸镀材料的蒸镀率，由于在膜厚计上以各蒸镀材料被混合后的状态附着蒸镀材料，因而仍无法单独监视各蒸镀材料的蒸镀率。

因此，一种薄膜形成装置已为众所周知，该薄膜形成装置对被蒸镀体上所蒸镀的混合薄膜照射2种波长的光，根据反射光中各波长的衰减率，计算混合被膜中的材料成分，将其值反馈给蒸发源蒸镀速度的控制(例如，参见专利文献2)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-129224号公报

专利文献2：日本特开2011-195871号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，上述专利文献2所述的薄膜形成装置用来计算实际被蒸镀体上所蒸镀的薄膜中的材料成分，无法实时监视各蒸发源中蒸镀材料的蒸发量。因此，不能在蒸镀时适当修正蒸镀率，并且还另行需要输出光的激光装置及检测反射光的光电二极管等的结构。

本发明用来解决上述课题，其目的为，提供一种在被蒸镀体上使多种蒸镀材料蒸镀的情况下，可以以简单的结构单独监视使各蒸镀材料蒸发的蒸发源的蒸镀率，能够正确控制薄膜的膜厚及混合浓度比的真空蒸镀装置。

解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明是一种真空蒸镀装置，用来在被蒸镀体上蒸镀多个蒸镀材料，其特征为，具备：第1蒸发源，使一个蒸镀材料蒸发；第2蒸发源，使另一蒸镀材料蒸发；蒸镀速度控制部，分别控制上述第1蒸发源及第2蒸发源的动作；设定蒸镀速度存储部，分别存储预先设定的上述第1蒸发源及第2蒸发源的设定蒸镀速度A1、A2；第1膜厚计，使从上述第1蒸发源及第2蒸发源的各自蒸发出的蒸镀材料附着，根据其膜厚计量各蒸镀材料的混合蒸镀速度Y1，配设于比上述第2蒸发源更靠近上述第1蒸发源的位置上；第2膜厚计，计量各蒸镀材料的混合蒸镀速度Y2，配设于比上述第1蒸发源更靠近上述第2蒸发源的位置上；混合蒸镀速度存储部，分别存储上述2个膜厚计所计量的混合蒸镀速度Y1、Y2；到达量比存储部，存储从上述第1蒸发源到达上述2个膜厚计各自的每单位时间的上述一个蒸镀材料之中第2膜厚计相对于上述第1膜厚计的一个蒸镀材料的到达量比B1，和从上述第2蒸发源到达上述2个膜厚计的每单位时间的上述另一蒸镀材料之中第1膜厚计相对于上述第2膜厚计的另一蒸镀材料的到达量比B2；计量部，根据上述混合蒸镀速度存储部中所存储的混合蒸镀速度Y1、Y2和上述到达量比存储部中所存储的到达量比B1、B2，分别计算第1蒸发源及第2蒸发源的蒸镀速度X1、X2；上述蒸镀速度控制部分别控制上述第1蒸发源及第2蒸发源的至少任一个，以便由上述计量部计算的第1蒸发源及第2蒸发源的蒸镀速度X1、X2的至少任一个和上述设定蒸镀速度存储部中所存储的设定蒸镀速度A1、A2的至少任一个分别一致。

在上述真空蒸镀装置中，优选的是，上述计量部通过从上述混合蒸镀速度存储部中所存储的混合蒸镀速度Y1、Y2，减去对上述设定蒸镀速度存储部中所存储的设定蒸镀速度A2、A1各自乘以上述到达量比存储部中所存储的到达量比B2、B1各自后得到的值，来分别计算第1及第2蒸发源的蒸镀速度X1、X2。