[发明专利]电子部件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电子部件，特别涉及具有Sn镀敷被膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件和该电子部件的制造方法。

背景技术

作为成为本发明的背景的技术，例如在国际公开第2006/134665号中公开了(参照专利文献1)形成有以Sn为主要成分的被膜的构件、被膜形成方法和焊料处理方法。

近年来，从环境保护的观点出发进行了如下的研究，对连接器(コネクタ)用端子、半导体集成电路用的引线框等，替代一直以来实施的Sn－Pb焊料镀敷，而通过不含Pb的以Sn为主要成分的金属镀敷来形成被膜。这种不含Pb的被膜容易产生被称为晶须的Sn的须状结晶。晶须长度从数μm到数十mm，有时在相邻的电极间引起电短路损害。另外，若晶须从被膜脱离而飞散，则飞散的晶须将成为在装置内外引起短路的原因。

在专利文献1中公开的技术中，其目的在于，提供具有能够抑制产生这样的晶须的被膜的构件，特别是对于以Sn为主要成分的被膜，在Sn的晶界形成Sn和Ni的合金粒子。若形成这样的Sn－Ni合金粒子则能够抑制晶须的生长。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2006/134665号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，已知专利文献1中公开的被膜在进行作为业界标准的JEDEC标准所规定的热冲击试验等时，不能够充分抑制晶须的生长。

因此，在具有Sn镀敷被膜的例如层叠陶瓷电容器等电子部件中，期望飞跃性地提高晶须抑制能力。

因此，本发明的主要目的是提供飞跃性地提高晶须抑制能力的电子部件及其制造方法。

用于解决课题的方法

本发明的电子部件特征在于，其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件，在Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn－Ni合金粒子，薄片状的Sn－Ni合金粒子存在于从Ni镀敷被膜侧的Sn镀敷被膜的面起的、Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围内，并且，从Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留薄片状的Sn－Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的面时，薄片状的Sn－Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15％～60％的范围内。在这样的电子部件中，还可以具有由Ni₃Sn₄形成的金属间化合物层。

此外，本发明的电子部件的制造方法特征在于，其是用于制造电子部件的方法，所述制造方法包含：准备形成有外部电极的电子部件元件的工序；在外部电极上形成Ni镀敷被膜的工序；在Ni镀敷被膜上形成第一Sn镀敷被膜的工序；在第一Sn镀敷被膜中形成薄片状的Sn－Ni合金粒子的工序；和在具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜上形成第二Sn镀敷被膜，使得具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜的厚度为整体的Sn镀敷被膜厚度的50％以下的范围的工序，整体的Sn镀敷被膜由具有薄片状的Sn－Ni合金粒子的第一Sn镀敷被膜和第二Sn镀敷被膜构成。在这样的电子部件的制造方法中，还可以包含在形成第二Sn镀敷被膜的工序之后，在Ni镀敷被膜和第一Sn镀敷被膜之间形成由Ni₃Sn₄形成的金属间化合物层的工序。

发明效果

根据本发明，能够得到特别是在晶须的生成长度方面、改善了晶须抑制能力的电子部件。另外，根据本说明的方法，能够制造上述的改善了晶须抑制能力的电子部件。

由参照附图进行的以下的用于实施发明的方式的说明，进一步明确本发明的上述目的、其它目的、特征和优点。

附图说明

图1是表示作为本发明的电子部件的一例的层叠陶瓷电容器的剖面图解图。

图2表示实施本发明的电子部件的制造方法中的镀敷被膜的工序的一例。

图3是在实施例1的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。

图4是在比较例1的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。

图5是在比较例2的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。

图6是在比较例3的层叠陶瓷电容器中溶解并剥离Sn镀敷被膜中的Sn后的镀敷被膜的表面的电子显微镜照片图像。

具体实施方式