[发明专利]电子部件及其制造方法有效
| 申请号: | 201380006391.1 | 申请日: | 2013-01-11 |
| 公开(公告)号: | CN104093888A | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
| 发明(设计)人: | 斋藤彰;小川诚;元木章博 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D5/12;C25D5/50;H01G4/12;H01G4/232;H01G4/30 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张玉玲 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 部件 及其 制造 方法 | ||
1.一种电子部件,其特征在于,其是具有形成有外部电极的电子部件元件、形成于所述外部电极上的Ni镀敷被膜和以覆盖所述Ni镀敷被膜的方式形成的Sn镀敷被膜的电子部件,
在所述Sn镀敷被膜中形成有薄片状的Sn-Ni合金粒子,
所述薄片状的Sn-Ni合金粒子存在于从所述Ni镀敷被膜侧的所述Sn镀敷被膜的面起的、所述Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围内,并且
从所述Sn镀敷被膜除去Sn而仅残留所述薄片状的Sn-Ni合金粒子、并俯视观察除去Sn而显现的具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的面时,所述薄片状的Sn-Ni合金粒子所占的区域在被观察的面区域的15%~60%的范围内。
2.根据权利要求1所述的电子部件,其中,还包含形成于所述Ni镀敷被膜和所述Sn镀敷被膜之间的由Ni3Sn4形成的金属间化合物层。
3.一种电子部件的制造方法,其特征在于,其是用于制造电子部件的方法,所述制造方法包含:
准备形成有外部电极的电子部件元件的工序;
在所述外部电极上形成Ni镀敷被膜的工序;
在所述Ni镀敷被膜上形成第一Sn镀敷被膜的工序;
在所述第一Sn镀敷被膜中形成薄片状的Sn-Ni合金粒子的工序;和
在具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜上形成第二Sn镀敷被膜,使得具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜的厚度为整体的Sn镀敷被膜厚度的50%以下的范围的工序,所述整体的Sn镀敷被膜由具有所述薄片状的Sn-Ni合金粒子的所述第一Sn镀敷被膜和所述第二Sn镀敷被膜构成。
4.根据权利要求3所述的电子部件的制造方法,其中,包含在形成所述第二Sn镀敷被膜的工序之后,在所述Ni镀敷被膜和所述第一Sn镀敷被膜之间形成由Ni3Sn4形成的金属间化合物层的工序。
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