[发明专利]用于修改感测放大器的激活的系统和方法

权利要求书

1.一种用于修改感测放大器的激活的装置，包括：

信号生成器，被配置为生成感测使能信号，所述感测使能信号激活存储器设备中存储器单元的感测放大器；

虚设存储器单元，被连接至电流镜电路，所述电流镜电路被配置为检测所述虚设存储器单元中与预定时序的时序变化并且至少部分基于所述时序变化来改变所述感测使能信号的时序；以及

控制器，被配置为通过选择地启用所述电流镜电路中多个半导体门的一个或多个半导体门来修改所述感测使能信号的所述时序，其中所述多个半导体门被并行连接。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述存储器设备是静态随机访问存储器SRAM并且所述装置被集成有所述SRAM，以及其中所述虚设存储器单元通过所述电流镜电路向所述信号生成器提供虚设位线上的信号以改变时序。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述控制器被配置为修改所述感测使能信号的所述时序以提前所述感测使能信号发生的时间。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述控制器被配置为通过基于所述控制器启用的所述多个半导体门的数目的量来提前所述感测使能信号发生的时间，并且其中由所述控制器启用的每个半导体门将所述感测使能信号的所述时序提前预定量。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述时序变化是所述虚设存储器单元产生满足用于从所述虚设存储器单元读取的阈值电压的电压时与所述虚设存储器单元被期望产生所述电压时的所述预定时序之间的差。

6.根据权利要求5所述的装置，其中所述阈值电压是用于激活逻辑门的最小电压。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述虚设存储器单元包括连接至电压源的位线。

8.一种用于修改感测放大器的激活的方法，包括：

检测虚设存储器单元中从预定时序的时序变化，所述虚设存储器单元是静态随机访问SRAM存储器单元，带有一个连接，在被激活时使得所述SRAM提供相同的电压值；

至少部分基于所述时序变化调节感测使能信号的时序；

选择地启用一个或多个并行半导体门以修改所述感测使能信号的所述时序；以及

在信号生成器中至少部分基于所述时序生成所述感测使能信号，其中所述感测使能信号激活存储器设备中的感测放大器。

9.根据权利要求8所述的方法，其中启用所述一个或多个并行半导体门提前所述信号生成器生成所述感测使能信号的时间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中启用所述一个或多个并行半导体门通过基于从控制器的控制信号启用的所述多个并行半导体门的数目的量来提前所述感测使能信号激活所述感测放大器的时间。

11.根据权利要求8所述的方法，其中针对被启用的所述多个半导体门的每个半导体门，所述感测使能信号的所述时序被提前预定量。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述时序变化是所述虚设存储器单元产生满足用于从所述虚设存储器单元读取的阈值电压的电压时与所述虚设存储器单元被期望产生所述电压时的所述预定时序之间的差。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述阈值电压是用于激活逻辑门的最小电压。

14.根据权利要求8所述的方法，其中生成所述感测使能信号使得所述感测放大器从所述存储器单元读取值。

15.根据权利要求8所述的方法，其中检测虚设存储器单元中的所述时序变化包括读取被硬连线至电压源的所述虚设存储器单元的位线。

16.一种集成电路，包括：

信号生成器，被配置为产生激活感测放大器的感测使能信号；以及

虚设存储器单元，被连接至电流镜电路，其中所述电流镜电路被配置为检测所述虚设存储器单元中与预定时序的时序变化并且至少部分基于所述时序变化改变所述感测使能信号的时序；以及

控制器，被配置为通过选择地启用所述电流镜电路中并行连接的多个半导体门的一个或多个半导体门来修改所述感测使能信号的所述时序。

17.根据权利要求16所述的集成电路，其中所述电流镜电路包括多个半导体门，所述多个半导体门被并行连接并且被配置为基于被启用的所述半导体门的数目来改变由所述虚设存储器单元提供电压的速率。