[实用新型]测试结构

权利要求书

1.一种测试结构，其特征在于，所述结构包括： 

至少一个PMOS和NMOS，所述PMOS和NMOS紧靠成对排列，所述PMOS和NMOS均设有源极、漏极、栅极和有源区；所述测试结构还包括多个通孔连线和多个测试盘，所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极连接，所述测试盘通过所述通孔连线分别与所述栅极、源极和漏极相连。 

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述PMOS和NMOS公用一个栅极。 

3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘包括一个栅极测试盘，所述栅极测试盘与所述栅极通过通孔连线连接。 

4.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘还包括两个源极测试盘，所述源极测试盘分别与PMOS的源极、NMOS的源极通过通孔连线连接。 

5.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘还包括两个漏极测试盘，所述漏极测试盘分别与PMOS的漏极、NMOS的漏极通过通孔连线连接。 

6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述PMOS和NMOS分别单独设有一个栅极，所述栅极为梳状结构。 

7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘包括两个栅极测试盘，所述栅极测试盘与PMOS的栅极、NMOS的栅极通过通孔连线连接。 

8.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘还包括两个源极测试盘，所述源极测试盘与PMOS的源极、NMOS的源极通过通孔连线连接。 

9.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述测试盘还包括两个漏极测试盘，所述漏极测试盘与PMOS的漏极、NMOS的漏极通过通孔连线连接。