[实用新型]测试结构有效
| 申请号： | 201320878928.0 | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN203644759U | 公开（公告）日： | 2014-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨梅;李日鑫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种测试结构，用于检测通孔连线和栅极之间的重叠偏差，其特征在于，所述结构包括：栅极、有源区和多个通孔连线，所述通孔连线包括至少一个栅极通孔连线和多个有源区通孔连线，其中，所述栅极通孔连线形成在所述栅极上，所述有源区通孔连线形成在所述有源区上，并位于所述栅极的两侧与所述栅极保持预定距离S。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，位于所述栅极两侧的有源区通孔连线以所述栅极所在的直线呈线对称排列。
3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述有源区通孔连线与所述栅极的预定距离S的范围为0～NA纳米，其中，N为大于等于1的整数，A为版图设计工艺规定下的最小距离。
4.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述有源区通孔连线按照与所述栅极保持预定距离S由小到大的排列方式依次排列。
5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述有源区通孔连线的个数范围是2～30个。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构形成于半导体晶圆的切割道上。
7.如权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述测试结构为多个，分别位于所述切割道不同部位。
8.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述有源区为NMOS有源区。
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