[实用新型]GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，更具体地说，涉及一种GaN基发光二极管。 

背景技术

发光二极管（Light-Emitting Diode，LED）具有高亮度、低能耗、响应速度快等优点，发光二极管作为新型高效的固体光源，在室内照明、景观照明、显示屏、信号指示等领域都有广泛的应用。 

现今市场对于蓝绿光LED需求越来越大，并且对蓝绿光LED的性能要求越来越高。目前蓝绿光LED的制备技术较为成熟，一般是在GaN基发光二极管的制备过程中，形成发光层前引入插入层（即氮化铟镓层），以提高GaN基发光二极管的发光性能，但是现有形成氮化铟镓层时出现V型缺陷，最终造成GaN基发光二极管的发光效率和抗静电能力差。 

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供一种GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管，最大程度避免了V型缺陷的出现。 

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案： 

一种GaN基发光二极管外延片，包括： 

衬底； 

n型半导体层，形成于所述衬底表面； 

插入层，形成于所述n型半导体层表面，且所述插入层包括：多个氮化铟镓层，以及位于相邻两个所述氮化铟镓层之间的缓冲层； 

发光层，形成于所述插入层表面； 

电子阻挡层，形成于所述发光层表面； 

p型半导体层，形成于所述电子阻挡层表面。 

优选的，所述缓冲层为氮化镓层。 

优选的，所述氮化镓层的厚度范围为0.5nm～3nm，包括端点值。 

优选的，所述氮化铟镓层包括In_xGa_1-xN，其中，x的范围为0.01～0.20，包括端点值。 

优选的，所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。 

一种GaN基发光二极管，包括： 

衬底； 

n型半导体层，形成于所述衬底表面，其表面分为第一区域和第二区域； 

插入层，形成于所述n型半导体层的第一区域上，且所述插入层包括：多个氮化铟镓层，以及位于相邻两个所述氮化铟镓层之间的缓冲层； 

发光层，形成于所述插入层表面； 

电子阻挡层，形成于所述发光层表面； 

p型半导体层，形成于所述电子阻挡层表面； 

n型电极，形成于所述n型半导体层的第二区域；以及， 

p型电极，形成于所述p型半导体层表面。 

优选的，所述缓冲层为氮化镓层。 

优选的，所述氮化镓层的厚度范围为0.5nm～3nm，包括端点值。 

优选的，所述氮化铟镓层包括In_xGa_1-xN，其中，x的范围为0.01～0.20，包括端点值。 

优选的，所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。 

与现有技术相比，本实用新型所提供的技术方案具有以下优点： 

本实用新型所提供的一种GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管，其插入层结构为周期结构，即多个氮化铟镓层，以及相邻两个氮化铟镓层之间形成缓冲层。在前一个氮化铟镓层出现V型缺陷前，在前一个氮化铟镓层表面形成缓冲层，最大程度的避免V型缺陷的出现，进而保证了发光层的晶体质量，提高GaN基发光二极管的发光效率和抗静电能力。 

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 

图1为现有的GaN基发光二极管的结构示意图； 

图2为本申请实施例提供的一种GaN基发光二极管外延片的结构示意图； 

图3为本申请实施例提供的一种插入层的结构示意图； 

图4为本申请实施例提供的一种GaN基发光二极管的结构示意图。 

具体实施方式