[实用新型]GaN基发光二极管外延片及GaN基发光二极管有效
| 申请号： | 201320860420.8 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN203659912U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 李鹏;张翼 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 外延 | ||
1.一种GaN基发光二极管外延片，其特征在于，包括：
衬底；
n型半导体层，形成于所述衬底表面；
插入层，形成于所述n型半导体层表面，且所述插入层包括：多个氮化铟镓层，以及位于相邻两个所述氮化铟镓层之间的缓冲层；
发光层，形成于所述插入层表面；
电子阻挡层，形成于所述发光层表面；
p型半导体层，形成于所述电子阻挡层表面。
2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述缓冲层为氮化镓层。
3.根据权利要求2所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化镓层的厚度范围为0.5nm～3nm，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述氮化铟镓层包括InxGa1-xN，其中，x的范围为0.01～0.20，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管外延片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
6.一种GaN基发光二极管，其特征在于，包括：
衬底；
n型半导体层，形成于所述衬底表面，其表面分为第一区域和第二区域；
插入层，形成于所述n型半导体层的第一区域上，且所述插入层包括：多个氮化铟镓层，以及位于相邻两个所述氮化铟镓层之间的缓冲层；
发光层，形成于所述插入层表面；
电子阻挡层，形成于所述发光层表面；
p型半导体层，形成于所述电子阻挡层表面；
n型电极，形成于所述n型半导体层的第二区域；以及，
p型电极，形成于所述p型半导体层表面。
7.根据权利要求6所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述缓冲层为氮化镓层。
8.根据权利要求7所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述氮化镓层的厚度范围为0.5nm～3nm，包括端点值。
9.根据权利要求6所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述氮化铟镓层包括InxGa1-xN，其中，x的范围为0.01～0.20，包括端点值。
10.根据权利要求6所述的GaN基发光二极管，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
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