[实用新型]一种膜层刻蚀防损伤监控设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种膜层刻蚀防损伤监控设备。 

背景技术

目前，由于低温多晶硅显示基板相对非晶硅显示基板具有更高的驱动能力，可较容易获得更高的显示质量，因此，越来越受到用户的追捧。如图1所示，为一种典型的顶栅结构阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括玻璃等透明基板101’、缓冲层102’、多晶硅有源层103’、栅极绝缘层104’、栅极金属105’和层间绝缘层106’组成。参考附图1B，在刻蚀过孔时，在层间绝缘层106’之上用光刻工艺形成掩膜107’，采用干法刻蚀108’将带刻蚀区域109’刻蚀去除，从而形成过孔，在后续工艺中即可沉积金属至过孔内从而实现与多晶硅有源层的连接。 

但遗憾的是，目前栅极绝缘层104’、层间绝缘层106’相加起来的厚度是相较有源层的厚度差别非常大(10:1以上)，刻蚀工艺的难度很大，而且较难有效监测有否刚好刻蚀至多晶硅有源层表面，导致很容易出现有源层过刻问题，降低了多晶硅基板的制造良率，特别是基板尺寸较大时，整个基板的刻蚀情况更难以把握。 

当然，除了有源层，其他膜层也存在在刻蚀过程中发生过度刻蚀的现象。 

实用新型内容

(一)要解决的技术问题 

本实用新型的目的是提供膜层刻蚀防损伤监控设备，以克服现有技术中无法掌控对有源层等膜层的刻蚀程度导致容易出现过刻，影响 有源层等膜层性能的缺陷。 

(二)技术方案 

为了实现上述目的，本实用新型提供一种膜层刻蚀防损伤监控设备，包括腔室，所述腔室中设有光源和若干个光感探头，所述光源向基板上的所述膜层照射，所述光感探头用于感应所述膜层的透光率。 

优选地，所述腔室为真空腔室，所述真空腔室连通反应气体源；所述真空腔室中设有刻蚀装置。 

优选地，所述刻蚀装置具体包括： 

相对设置的上极板和下极板，其中一个极板接地，另外一个极板接射频电源，使得上极板和下极板之间生成对基板进行刻蚀的等离子体； 

所述下极板用于放置待刻蚀的基板。 

优选地，所述光源位于所述上极板上； 

或者，所述光源位于真空腔室的侧壁； 

或者，所述光源位于真空腔室的上壁。 

优选地，所述光感探头设置于所述下极板远离所述基板的一侧。 

优选地，所述光感探头的数量为5-25个，均匀分布。 

优选地，还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源，所述射频电源在断电时间段进行膜层的透光率的监测。 

(三)有益效果 

本实用新型提供的膜层刻蚀防损伤监控设备，结构简单，使用方便，通过对比不同状态下膜层的透光率，可有效监控对膜层的刻蚀程度，最大程度确保膜层不被过度刻蚀，确保膜层的性能，进而提供产品的良品率。 

附图说明

图1为现有技术中顶栅型阵列基板示意图； 

图2为本实用新型实施例一膜层刻蚀防损伤监测方法流程示意 图； 

图3为本实用新型实施例二有源层刻蚀防损伤监测方法流程示意图； 

图4为本实用新型实施例三阵列基板的制作方法流程示意图； 

图5A～5D为本实用新型实施例三阵列基板的制作方法过程中各步骤结构示意图； 

图6为本实用新型实施例四有源层刻蚀监测设备结构示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。 

实施例一 

如图2所示，本实用新型实施例提供一种膜层刻蚀防损伤监控方法，包括： 

步骤S101、在形成膜层图形之后监测并记录所述膜层的透光率基准值； 

步骤S102、在所述膜层图形上形成阻挡层，对阻挡层进行刻蚀过孔的过程中，实时监测所述膜层的透光率现有值，通过透光率现有值和透光率基准值之间的变化量来监控对所述膜层的刻蚀程度。 

其中，为了确保整个基板的透光均匀性，可监测所述膜层的不同位置的多个透光率值。优选地，可监测所述膜层的不同位置的9～25点透光率值。当然，该具体位置的数量可根据实际需求而定。 

在实际刻蚀工程中，实时监测膜层的透光率现有值，当透光率现有值达到透光率基准值的100％～120％时，停止刻蚀。