[实用新型]一种膜层刻蚀防损伤监控设备有效

专利信息
申请号: 201320851584.4 申请日: 2013-12-20
公开(公告)号: CN203882952U 公开(公告)日: 2014-10-15
发明(设计)人: 刘政;任章淳 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01J37/244 分类号: H01J37/244;H01L21/67
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 李迪
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 刻蚀 损伤 监控 设备
【权利要求书】:

1.一种膜层刻蚀防损伤监控设备,其特征在于,包括腔室,所述腔室中设有光源和若干个光感探头,所述光源向基板上的所述膜层照射,所述光感探头用于感应所述膜层的透光率。 

2.如权利要求1所述的监控设备,其特征在于,所述腔室为真空腔室,所述真空腔室连通反应气体源;所述真空腔室中设有刻蚀装置。 

3.如权利要求2所述的监控设备,其特征在于,所述刻蚀装置具体包括: 

相对设置的上极板和下极板,其中一个极板接地,另外一个极板接射频电源,使得上极板和下极板之间生成对基板进行刻蚀的等离子体; 

所述下极板用于放置待刻蚀的基板。 

4.如权利要求3所述的监控设备,其特征在于,所述光源位于所述上极板上; 

或者,所述光源位于真空腔室的侧壁; 

或者,所述光源位于真空腔室的上壁。 

5.如权利要求4所述的监控设备,其特征在于,所述光感探头设置于所述下极板远离所述基板的一侧。 

6.如权利要求1或2所述的监控设备,其特征在于,所述光感探头的数量为5-25个,均匀分布。 

7.如权利要求1或2所述的监控设备,其特征在于,还包括用于提供射频电流以产生等离子体的射频电源,所述射频电源在断电时间段进行膜层的透光率的监测。 

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