[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管（TFT）、包括该薄膜晶体管的阵列基板，以及包括该阵列基板的显示装置。

背景技术

目前，以液晶显示装置（LCD）和有机发光二极管显示装置（OLED）为代表的平板显示器向着大尺寸、高分辨的方向发展，薄膜晶体管（TFT）作为平板显示行业的关键控制部件，其性能显得更加重要。与非晶硅TFT相比，氧化物（Oxide）TFT的载流子迁移率高达10cm²/Vs，是前者的10倍左右；氧化物TFT可通过溅射（Sputter）工艺制备，导入时改变其靶材的材料即可，无需改变现有的生产线。

对于底栅型的氧化物薄膜晶体管，一般采用以下制备方法。

如图1所示为现有技术中的OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法的一流程示意图，OLED阵列基板的每个像素单元包括两个薄膜晶体管，Switching（开关）TFT和Driving（驱动）TFT，其中Switching TFT的漏电极需要与Driving TFT的栅电极电连接，OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法包括7次构图工艺，即使用7次掩膜板（mask）：

步骤S11：在衬底基板101上形成Switching TFT的栅电极102以及Driving TFT的栅电极102’，并在栅电极102和栅电极102’上沉积栅绝缘层（GI）103；

形成栅电极102和栅电极102’包括：形成栅电极层薄膜，通过一次构图工艺（1Mask）形成包括栅电极102和栅电极102’的图形。

步骤S12：在栅绝缘层103上形成有源层104，有源层的材质可以为铟镓锌氧化物（IGZO）；

形成有源层104包括：形成有源层薄膜，通过一次构图工艺（2Mask）形成包括有源层的图形。

步骤S13：在有源层104上形成刻蚀阻挡层（Etch Stop Layer，ESL）105。

形成刻蚀阻挡层105包括：形成刻蚀阻挡层薄膜，通过一次构图工艺（3Mask）形成包括刻蚀阻挡层105的图形。

步骤S14：在Driving TFT的栅电极上方的栅绝缘层103上形成用于连接Driving TFT的栅电极102’及后续形成的Switching TFT的漏电极的开口；

形成该开口包括：通过一次构图工艺（4Mask）形成包括该开口的栅绝缘层图形。

步骤S15：在完成上述步骤的基板上形成源电极1061、漏电极1062；

形成源电极1061和漏电极1062包括:形成源漏层薄膜，通过一次构图工艺（5Mask）形成包括源电极1061和漏电极1062的图形。

步骤S16：沉积保护层（PVX）107，并在Switch TFT的漏电极1062以及Driving TFT的栅电极上方的保护层107上形成用于连接Driving TFT的栅电极102’和Switch TFT的漏电极1062的开口；

形成该开口包括：通过一次构图工艺（6Mask）形成包括该开口的保护层的图形。

步骤S17：在保护层107上形成导电图形108，导电图形的材质可以为铟锡氧化物（ITO）。

形成导电图形108包括：形成透明导电薄膜，通过一次构图工艺（7Mask）形成包括导电图形108的图形。

如图2所示为现有技术中的OLED阵列基板的底栅型薄膜晶体管的制备方法的另一流程示意图，所述方法包括6次构图工艺，即使用6次掩膜板（mask）：

步骤S21：在衬底基板201形成Switching TFT的栅电极202以及Driving TFT的栅电极202’，并在栅电极202和栅电极202’上沉积栅绝缘层（GI）203；

形成栅电极202和栅电极202’包括：形成栅电极层薄膜，通过一次构图工艺（1Mask）形成包括栅电极202和栅电极202’的图形。

步骤S22：在栅绝缘层203上形成有源层204；

形成有源层204包括：形成有源层薄膜，通过一次构图工艺（2Mask）形成包括有源层的图形。

步骤S23：在有源层204上形成刻蚀阻挡层205。

形成刻蚀阻挡层205包括：形成刻蚀阻挡层薄膜，通过一次构图工艺（3Mask）形成包括刻蚀阻挡层205的图形。

步骤S24：形成源电极2061和漏电极2062；

形成源电极2061和漏电极2062包括:形成源漏层薄膜，通过一次构图工艺（4Mask）形成包括源电极2061和漏电极2062的图形。