[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201320840230.X | 申请日： | 2013-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN203631563U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 姜春生;刘威 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极和漏电极，其特征在于，所述有源层与所述源电极、所述漏电极同层设置且位于所述源电极、所述漏电极之间。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层的材质为金属氧化物半导体材料，所述源电极、所述漏电极为金属氧化物导体材料。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层通过对所述源电极和所述漏电极之间区域的金属氧化物导体薄膜进行离子注入形成，或者所述源电极、所述漏电极通过对所述有源层两侧区域的金属氧化物半导体薄膜进行离子注入形成。
4.一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅电极、栅极绝缘层、有源层、源电极、漏电极和像素电极，其特征在于，所述有源层与所述源电极、所述漏电极、所述像素电极同层设置。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层的材质为金属氧化物半导体材料，所述源电极、所述漏电极为金属氧化物导体材料。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述有源层通过对所述源电极和所述漏电极之间区域的金属氧化物导体薄膜进行离子注入形成，或者所述源电极、所述漏电极通过对所述有源层两侧区域的金属氧化物半导体薄膜进行离子注入形成。
7.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
形成于所述衬底基板上的栅电极；
形成于所述栅电极上的栅绝缘层；
形成于所述栅绝缘层上的有源层、源电极、漏电极及像素电极；
形成于所述有源层、源电极及漏电极上方的保护层。
8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4-7任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。
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