[实用新型]一种发光二极管驱动装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种驱动装置，尤其涉及一种发光二极管驱动装置。

背景技术

随着现代工业的发展，能源的消耗也日益增大，节能，降低能耗成了当今发展的重点工作之一，在照明领域，新型的LED照明技术，高能效利用率受到人们的青睐，但是LED的民用推广确实困难重重，究其原因，还是价格太高，还没达到普通大众可以接受的程度。同时传统的开关电源在LED应用中，成了制约LED实际使用寿命的瓶颈。简化，优化LED驱动技术，成了当务之急，交流直接驱动技术在很大程度上解决了这些问题，但是却导致了LED的频闪问题，虽然现在还没有确凿的证据表明频闪对人的伤害，但是高品质的照明是我们追求的目标。

随着电气化时代的发展，交流电的整流方式也随之发展，桥式整流电路广泛应用于各种电路中，特别是用来将交流电AC整流成直流电DC。如图1所示为一种常规的桥式整流电路。该桥式整流电路包括4只二极管101、102、103、104，这4只二极管成电桥连接。在第一供电端IN1和第二供电端IN2处输入的交流电，通过该桥式整流电路，在输出OUT1和OUT2处变换为直流电。通常在实际应用中可以在输出OUT1和OUT2之间连接电容105，以便输出更加稳定的直流电压。

由于滤波电容105的影响，该电路接入负载后功率因数较低，造成了电力资源的浪费，故在实际应用中，经常可见如图2所示的电路，在图1的桥式整流电路后端接入由二极管206、207、208以及电容205、209组成的填谷式功率因数校正电路。在开关电源的应用中，该电路可以将功率因数校正至0.8左右，但是增加了三颗二极管和两颗电解电容，使得体积增加，同时在应用时，如果做降压使用其实际输出的电压只有输入电压的1/2。

国际专利WO2004/023568A1“LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING LIGHT-EMITTING ELEMENTS”中，提出了在蓝宝石衬底上集成LED芯片阵列，从而提供一种交流电力驱动的发光装置，但没有解决LED的发光闪烁问题。

美国专利US7,489,086B2“AC LIGHT EITTING DIODE AND AC LED DRIVE METHODS AND APPARATUS”提供了一种交流LED器件，该发明是一种将多个LED发光单元集成封装的器件，利用人眼的视觉暂留效应来弥补交流周波电力工作下LED的发光频闪现象。但是，同样没有解决交流电压波动而造成的发光闪烁现象，也没有使用恒流电路。

专利CN100464111C公布了一种利用不同发光颜色的LED芯片并联在交流电源中的交流LED灯，主要描述不同颜色的LED芯片在一起构成白光及其具体电路，而没有涉及发光粉。

可见，在已公开交流LED发光装置中，都存在如下缺点：其一，在交流电周期中，LED芯片存在发光间隔，使装置具有发光频闪现象；其二，LED电流会随着交流电压的波动而波动，导致LED发光时出现亮度变化，具有发光闪烁的现象。其三，没有使用恒流电路，在LED结温升高时，其开启电压会下降，由于输入电压不变，使得LED的正向电流急剧增加，严重时会使LED的PN结造成热击穿，永久损坏。

实用新型内容

为了克服现有发光二极管驱动装置技术存在的上述不足，本实用新型提供了一种发光二极管驱动装置，其包括彼此连接的整流模块和LED模块，所述整流模块与多个LED负载串联构成一个回路，

其特征在于，

所述LED模块包括若干LED模组，所述LED模组由基板和多个LED芯片组成，并且所述LED模组的所述多个LED芯片结构为水平结构、垂直结构或倒装结构。

根据一个优选实施方式，所述LED芯片为水平结构时，每个LED芯片的P电极和N电极位于芯片顶端,每个LED芯片自下而上依次包括：蓝宝石衬底、N型GaN层、多量子阱、P型GaN层、TCL层和P型引线电极，LED芯片之间用金属线串联、并联或混联。

根据一个优选实施方式，所述LED芯片为垂直结构时，每个LED芯片的N电极和P电极分别位于芯片的顶端和底端，每个LED芯片自下而上依次包括：P型电极层、导电层、反射体，P型GaN层、多量子阱、N型GaN层和N型引线电极，LED芯片之间用金属线串联、并联或混联。

根据一个优选实施方式，所述LED芯片为倒装结构时，LED芯片具有若干发光单元，LED芯片倒装在基板上，LED芯片上每个发光单元通过基板上的金属层串联、并联或混联。