[实用新型]一种提高正向耐压的可控硅台面结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体器件，尤其涉及一种提高正向耐压的可控硅台面结构。

背景技术

在可控硅的生产制造工艺过程中，为形成良好的耐压，通常采用台面挖槽加玻璃钝化的方法来实现。在台面槽与扩散区的匹配上有正角和负角之分，正角结构可使得承压时扩散区的势垒区加长，耐压水平得到明显提高，而负角结构势垒区较短，耐压偏低。如图1所示，但由于通常挖槽的硅腐蚀形成槽型固定（抛物线型），使得常规可控硅结构中台面结构均形成负角，正向耐压较低。部分可控硅为形成正角均采用特殊的复杂工艺，成本高，一致性差，成品率低，且仅适用于大电流可控硅（100A以上），对小可控硅无法实施。

实用新型内容

本实用新型提供一种提高正向耐压的可控硅台面结构。通过特殊腐蚀液腐蚀槽面，实现了台面槽和扩散区的正角结构。

一种提高正向耐压的可控硅台面结构，包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述硼穿通扩散区设于长基区的四周，每个硼穿通扩散区上开有穿通环，所述台面槽内填充有玻璃粉，所述台面槽的台面结构形成正角。

所述台面槽的台面结构形成的正角α，75°≤α＜90°。

本实用新型的有益效果：此种正角台面结构，使得正向耐压大大提高，且形成的正角角度可根据需求调整，大大提高了可控硅的耐压水平。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步说明。

图1是现有技术的结构示意图。

图2是本实用新型结构示意图。

其中：1、穿通环，2、短基区，3、阴极区，4、玻璃粉，5、台面槽，6、长基区，7、硼穿通扩散区。

具体实施方式

如图2所示，本实用新型的一种提高正向耐压的可控硅台面结构，包括阴极区、短基区、长基区、台面槽和硼穿通扩散区，所述硼穿通扩散区设于长基区的四周，每个硼穿通扩散区上开有穿通环，所述台面槽内填充有玻璃粉，所述台面槽的台面结构形成正角。

台面槽的台面结构形成的正角α，75°≤α＜90°。台面槽的槽型为上窄下宽，这种槽型不同于普通的抛物线型，后者使得常规可控硅结构中台面结构均形成负角，正向耐压较低。

一种提高正向耐压的可控硅台面结构的制造工艺的具体步骤如下：

一、双面抛光片

N型硅单晶片电阻率30-42Ω·cm，双面抛光后厚度220-230μm；

二、氧化

生长氧化层氧化，条件：T= 1150℃，t=1h干氧+7h湿氧+2 h干氧，要求：氧化层厚度1.5μm；

三、光刻穿通

采用双面光刻机，正常穿通光刻版将N型硅单晶片正背面图形对称曝光，光刻出的环窗口；

四、进行穿通扩散 

条件：T= 1260-1275℃，t=150-200h，

要求：结深X_j=120-140μm；

五、短基区扩散  

1、预淀积 

条件：T=950-970℃，t= 1 h，R_□=38-40Ω/□；

2、再分布 

条件：T=1240-1250℃ ，t= 24-35 h；

要求：结深X_j=33-38μm；

六、光刻阴极区 

使用阴极版进行光刻

七、阴极扩散   

用磷源进行扩散，

1、磷预淀积

条件：T=1140±20℃ ， t= 2小时

2、磷再分布

条件：T= T ， t= 1.5+X小时（先做小样，T、X视小样情况而定）；

八、光刻台面槽  

    光刻版采用槽板； 

九、化学腐蚀台面槽  

化学腐蚀液在-15+3℃时，腐蚀槽深为60-70μm，化学腐蚀液按摩尔比为冰乙酸:氢氟酸:硝酸：硫酸=0.9-1.1:2:2:2；

十、玻璃钝化  

采用 GP370玻璃粉刮涂，在扩散炉730±20℃温度下烧结，形成玻璃钝化层；

十一、光刻引线孔

    采用引线孔板进行光刻；

十二、正面蒸铝  

采用电子束蒸发台进行蒸铝，要求：铝层厚度3.5-4μm

十三、铝反刻

    采用铝反刻版进行光刻；

十四、铝合金