[实用新型]一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构有效
| 申请号： | 201320823483.6 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN203659837U | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺;邹有彪;张鹏;王泗禹;耿开远;周健;李建新 | 申请（专利权）人： | 启东吉莱电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 台面 大功率 半导体器件 多层 复合 钝化 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种台面大功率半导体器件多层复合膜钝化结构，包括P 型硼结区和N 型磷结区，所述N 型磷结区上下两端均设有P 型硼结区，其特征在于：在台面大功率半导体器件台面PN结表面从内到外依次包括α-多晶硅层、半绝缘多晶硅薄膜、低温热氧化层、高温Si3N4薄膜、负电荷性玻璃钝化层和低温热氧化层。
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