[实用新型]存储器器件

说明书

技术领域

本公开内容涉及电子器件制造领域，并且更具体地涉及存储器器件。

背景技术

固态存储器器件由于较典型有源存储器器件而言的若干优点，已经变得很流行。首先，固态存储器器件不包括活动部件，因此它消耗更少功率并且提供稳健的可靠性。另外，固态存储器器件耐受机械应力，诸如冲击和振动。

用于固态存储器器件的一类存储器是闪存器件。闪存器件可以基于例如NAND或者NOR逻辑门。例如Nakamura的公开号为2009／0080236的美国专利申请公开一种存储器器件。该存储器器件包括多个存储器单元和耦合到每个存储器单元的位线。存储器器件经由位线向存储器单元中的每个存储器单元提供电源电压。即使固态存储器器件使用比典型方式更少的功率，仍然希望减少固态存储器器件的功率消耗。

实用新型内容

鉴于前述背景，因此本公开内容的目的是减少存储器器件的功率消耗。

根据本公开的一个方面，提供一种存储器器件，包括：

半导体衬底；以及

至少一个存储器晶体管，在所述半导体衬底中并且包括：

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，以及

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层之上的第二导电层；

所述第一电介质层和所述第二电介质层包括不同电介质材料，并且所述第一扩散阻挡层比所述第二扩散阻挡层更薄。

优选地，所述第一电介质层包括HfSiON。

优选地，所述第二电介质层包括镧。

优选地，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层各自包括氮化钛。

优选地，所述第一导电层包括铝。

优选地，所述第二导电层包括多晶硅。

优选地，还包括在所述半导体衬底中并且与所述至少一个存储器晶体管相邻的第一晶体管和第二晶体管。

优选地，所述第一晶体管包括：

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在该源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第一扩散阻挡层和在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层。

优选地，所述第二晶体管包括：

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在该源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二扩散阻挡层、在所述第二扩散阻挡层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第三扩散阻挡层和在所述第三扩散阻挡层之上的第二导电层。

根据本公开的另一方面，提供一种存储器器件，包括：

半导体衬底；以及

至少一个存储器晶体管，在所述半导体衬底中并且包括：

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，以及

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层之上的第二导电层；

所述第一电介质层和所述第二电介质层包括不同电介质材料，并且所述第一扩散阻挡层比所述第二扩散阻挡层更薄，所述第二电介质层包括镧，所述第一导电层包括铝。

优选地，所述第一电介质层包括HfSiON。

优选地，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层各自包括氮化钛。

优选地，所述第二导电层包括多晶硅。

优选地，还包括在所述半导体衬底中并且与所述至少一个存储器晶体管相邻的第一晶体管和第二晶体管。

本实用新型的存储器器件功率高效并且可靠。

附图说明

图1是根据本公开内容的存储器器件的截面图的示意图。

图2是根据本公开内容的存储器器件的另一实施例的截面图的示意图。