[实用新型]存储器器件

权利要求书

1.一种存储器器件，其特征在于，包括： 

半导体衬底；以及 

至少一个存储器晶体管，在所述半导体衬底中并且包括： 

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，以及 

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层之上的第二导电层； 

所述第一电介质层和所述第二电介质层包括不同电介质材料，并且所述第一扩散阻挡层比所述第二扩散阻挡层更薄。 

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一电介质层包括HfSiON。 

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第二电介质层包括镧。 

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层各自包括氮化钛。 

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第一导电层包括铝。 

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述第二导电层包括多晶硅。 

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，还包括在所述半导体衬底中并且与所述至少一个存储器晶体管相邻的第一晶体管和第二晶体管。 

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其特征在于，所述第一晶体管包括： 

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在该源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及 

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第一扩散阻挡层和在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层。 

9.根据权利要求8所述的存储器器件，其特征在于，所述第二晶体管包括： 

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在该源极区域和漏极区域之间的沟道区域；以及 

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二扩散阻挡层、在所述第二扩散阻挡层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第三扩散阻挡层和在所述第三扩散阻挡层之上的第二导电层。 

10.一种存储器器件，其特征在于，包括： 

半导体衬底；以及 

至少一个存储器晶体管，在所述半导体衬底中并且包括： 

在所述半导体衬底中的源极区域和漏极区域以及在所述源极区域和所述漏极区域之间的沟道区域，以及 

栅极堆叠，包括在所述沟道区域之上的第一电介质层、在所述第一电介质层之上的第一扩散阻挡层、在所述第一扩散阻挡层之上的第一导电层、在所述第一导电层之上的第二电介质层、在所述第二电介质层之上的第二扩散阻挡层和在所述第二扩散阻挡层之上的第二导电层； 

所述第一电介质层和所述第二电介质层包括不同电介质材料，并且所述第一扩散阻挡层比所述第二扩散阻挡层更薄，所述第二电介质层包括镧，所述第一导电层包括铝。 

11.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，所述第一电介质层包括HfSiON。 

12.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，所述第一扩散阻挡层和所述第二扩散阻挡层各自包括氮化钛。 

13.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，所述第二导电层包括多晶硅。 

14.根据权利要求10所述的存储器器件，其特征在于，还包括在所述半导体衬底中并且与所述至少一个存储器晶体管相邻的第一晶体管和第二晶体管。