[实用新型]测试结构有效
申请号: | 201320806969.9 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN203644758U | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王贵明 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 | ||
1.一种测试结构,其特征在于,所述测试结构包括多个测试单元以及多个金属连线,所述测试单元内设有多个第一栅极和第一通孔连线,所述第一栅极和第一通孔连线由介质层隔离开,所述金属连线包括第一金属连线和第二金属连线,所述第一金属连线与所述第一栅极连接,所述第二金属连线与所述第一通孔连线连接。
2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试单元还包括活动区、第二栅极和第二通孔连线,所述第二通孔连线形成于所述活动区和第二栅极之上,并与所述第一栅极通过所述介质层隔离开,所述第一通孔连线形成于所述活动区之上。
3.如权利要求2所述的测试结构,其特征在于,所述第二通孔连线的个数为2个。
4.如权利要求3所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括第三金属连线,所述第三金属连线与所述第二通孔连线连接。
5.如权利要求4所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括第一测试盘、第二测试盘和第三测试盘,所述第一测试盘与所述第一金属连线相连,所述第二测试盘与所述第二金属连线相连,所述第三测试盘与所述第三金属连线相连。
6.如权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括一选择单元,所述选择单元分别设置于所述第二测试盘与第二金属连线、第三测试盘与第三金属连线之间。
7.如权利要求6所述的测试结构,其特征在于,所述选择单元由4个PMOS器件组成。
8.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述第一金属连线与所述第一栅极通过第三通孔连线连接。
9.如权利要求8所述的测试结构,其特征在于,所述第三通孔连线的个数 为2个。
10.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试单元内的第一通孔连线个数为2个。
11.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试单元的个数大于等于1000个。
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