[实用新型]研磨垫调整器

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种研磨垫调整器。

背景技术

半导体制造工艺中，在填充铜层等薄膜之后，通常需要对其进行化学机械研磨（CMP）处理，研磨去除一部分薄膜，或者将薄膜的表面进行平坦化。

请参考图1，图1为化学机械研磨设备的结构俯视图，所述化学机械研磨设备包括研磨垫10，与所述研磨垫10表面紧贴的研磨头20以及与所述研磨垫10表面紧贴的研磨垫调整器30，其中，晶圆固定在所述研磨头20上，并且将待研磨的面朝下，与所述研磨垫10的表面紧贴，所述研磨头20和所述研磨垫10均进行转动，所述研磨垫调整器30也能够转动，用于对所述研磨垫10的表面进行修整，并且将涂覆在所述研磨垫10表面的研磨液涂抹均匀，以方便对所述晶圆进行研磨。

请参考图2，图2为所述研磨垫调整器30的结构示意图，所述研磨垫调整器30包括衬底31，位于衬底31上的多颗调整颗粒33以及将调整颗粒33固定在所述衬底31表面的连接物32，其中，所述调整颗粒33可以均匀的排列在所述衬底31的表面，所述调整颗粒33用于调整所述研磨垫10的表面，并且将所述研磨液涂抹均匀。

然而，由于所述研磨垫调整器30的外圈线速度大于内圈的线速度，所述研磨垫调整器30对所述研磨垫10的调整过程中，研磨垫调整器30外圈的调整颗粒对所述研磨垫10的摩擦较为严重，会造成所述研磨垫10的表面对所述晶圆的研磨速度不同，而且，由于外圈的调整颗粒33受到的摩擦力较大，外圈的调整颗粒33较为容易脱落，脱落的调整颗粒33残留在所述研磨垫10的表面，会对正在进行研磨的晶圆造成刮伤等缺陷。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种研磨垫调整器，能够减少研磨垫调整器外圈对研磨垫的摩擦程度，降低外圈调整颗粒脱落的几率。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种研磨垫调整器，用于对研磨垫进行修整，所述研磨垫调整器包括衬底、位于衬底表面的多个调整颗粒以及用于将所述调整颗粒固定在所述衬底表面的连接物，其中，所述衬底的边缘设有凹陷区。

进一步的，所述凹陷区为圆环区。

进一步的，所述凹陷区的凹陷深度范围是0.5mm～1mm。

进一步的，所述凹陷区的凹陷宽度范围是0.5mm～8mm。

进一步的，所述调整颗粒的总个数为1～1000个。

进一步的，位于所述凹陷区的调整颗粒的个数为1～100个。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：使用衬底边缘设有凹陷区的研磨垫调整器，由于所述衬底边缘存在凹陷区，位于所述凹陷区的调整颗粒位置较低，与研磨垫的接触面较少，能够抵消衬底边缘线速度过大而造成与研磨垫的过度摩擦，同时还能降低衬底边缘调整颗粒脱落的几率，避免对待研磨晶圆造成刮伤。

附图说明

图1为现有技术中化学机械研磨设备的结构俯视图；

图2为现有技术中研磨垫调整器的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中研磨垫调整器的结构剖面示意图；

图4为本实用新型一实施例中研磨垫调整器的主视图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的研磨垫调整器进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图3，在本实施例中，提出了一种研磨垫调整器，用于对研磨垫进行修整，所述研磨垫调整器包括衬底110、位于衬底110表面的多个调整颗粒130以及用于将所述调整颗粒130固定在所述衬底110表面的连接物120，其中，所述衬底110的边缘设有凹陷区。