[实用新型]测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种测试结构。

背景技术

在半导体制造领域中，半导体晶圆制作完成之后，通常会对半导体晶圆进行相应的参数测试，例如晶圆可接受性能测试（Wafer Acceptance Test,WAT）以及芯片探针测试（Chip Probe Test,CP Test）。测试通常会测量半导体晶圆的多种参数，以监测半导体晶圆在生产过程中是否出现一些偏差。

在现有技术的MOS制程中，为了降低多晶硅（Poly）或者扩散层(Diffusion)的阻值，通常会通过硅和金属在多晶硅或者扩散层表面生成硅化金属化合物（Salicide），从而降低电阻，硅化金属阻挡物（Salicide Block，SAB）层的形成则是用来起遮挡作用，阻止Sailicide在多晶硅或者扩散层表面的生成，从而能够得到阻值较高的多晶硅或者扩散层。因此，所述硅化金属阻挡物形成是否存在误差，则是影响半导体晶圆性能的一个重要参数，现有技术中便存在针对硅化金属阻挡物（Salicide Block，SAB）进行测试的测试结构，以监测SAB是否存在偏差。

请参考图1，现有技术中SAB测试结构包括多晶硅层10和形成在多晶硅层10表面的硅化金属阻挡物层20，其中，所述硅化金属阻挡物层20的材质为二氧化硅，其长度L为100μm，其宽度W范围是11μm。然而，随着半导体技术的发展，半导体晶圆的特征尺寸也越来越小，也就是说，形成的SAB的大小也会越来越小，若SAB存在较小的偏差，则会对形成的半导体晶圆性能造成较大的影响，而采用现有技术的测试结构则对较小的偏差不那么敏感，无法精确的监测出较小偏差带来的影响，因此，现有技术中的测试结构便无法满足半导体技术的发展要求。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种测试结构，能够准确的监测出硅化金属阻挡物是否存在偏差。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种测试结构，包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。

进一步的，所述硅化金属阻挡物为长条形。

进一步的，所述硅化金属阻挡物的宽范围是0.2μm～0.6μm。

进一步的，所述硅化金属阻挡物的长范围是1μm～20μm。

进一步的，所述硅化金属阻挡物的个数为50～150个。

进一步的，所述硅化金属阻挡物预定间距范围是0.2μm～0.6μm。

进一步的，所述硅化金属物为蛇形。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果主要体现在：在多晶硅的表面形成多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，由于所述硅化金属物形成于硅化金属阻挡物之间，即将所述硅化金属阻挡物分开，通过测量所述硅化金属物的电阻值便能够监测到硅化金属阻挡物是否存在微小的偏差，从而提高监测的精确度。

附图说明

图1为现有技术中SAB测试结构的俯视图；

图2为本实用新型一实施例中测试结构的俯视图；

图3为本实用新型一实施例中测试结构的剖面示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的测试结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。