[实用新型]测试结构有效
| 申请号： | 201320804312.9 | 申请日： | 2013-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN203631541U | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 郭君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种测试结构，其特征在于，所述测试结构包括多晶硅，形成于多晶硅表面的多个硅化金属阻挡物以及硅化金属物，其中，所述硅化金属阻挡物之间具有预定间距，所述硅化金属物形成于所述硅化金属阻挡物之间。
2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属阻挡物为长条形。
3.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属阻挡物的宽范围是0.2μm～0.6μm。
4.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属阻挡物的长范围是1μm～20μm。
5.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属阻挡物的个数为50～150个。
6.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属阻挡物预定间距范围是0.2μm～0.6μm。
7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述硅化金属物为蛇形。
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