[实用新型]一种半导体致冷器晶片厚度检测装置

说明书

技术领域

 本实用新型涉及一种厚度检测设备，尤其是一种半导体致冷器晶片厚度检测装置。

背景技术

半导体致冷器又称热电致冷器或温差电致冷器，是利用特种半导体材料组成P-N结，通上直流电而达到制冷目的，属新型电子元器件范畴，半导体致冷器自六十年代工业化生产以来，仅限于应用于航空、航天、国防以及重大科研项目中，由于其具有安全、环保、寿命长等特点，国内外自七十年代末已逐步用于医疗器械、小型冷藏箱、电子计算机、通讯设备和饮水机等民用领域，特别是近几年来，家用饮水机在国内外的广泛应用为半导体致冷器的发展和应用提供了广阔的前景，使得半导体致冷器的生产及技术都有了快速发展；在半导体致冷器生产过程中，需将圆柱状的半导体材料（碲化铋）切成圆型晶片，然后切割成细小的颗粒状；为了保证半导体致冷器制冷性能的一致性，对半导体致冷器晶片厚度的标准尺寸有公差要求，即厚度不能大于上公差、小于下公差，而且要求每片都要检测；在现有生产工艺流程中，半导体致冷器晶片的厚度检验是采用千分尺测量半导体致冷器晶片的十字对角四个点的厚度来判断是否合格，检验工作量相当大，而且人工操作，繁琐而劳累，误差在所难免，效率低下，经常造成半导体致冷器合格率达不到要求。

发明内容

为了解决现有技术的检验工作量大、繁琐劳累，误差难免、合格率达不到要求的不足，本实用新型提供一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，能快速自动检测半导体致冷器晶片的厚度，具有检测准确度好、轻便快捷、省时省力、效率高的优点，可保证半导体致冷器晶片的合格率，从而提高半导体致冷器的合格率。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：它由支架、标准平板、横杆、上斜杆、下斜杆组成，所述支架为三角形；所述标准平板为矩形，设置在支架的斜面上；所述横杆设置在标准平板的上方，在横杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸上公差；所述上斜杆设置在标准平板的中部，在上斜杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸下公差；所述下斜杆设置在标准平板的下部。

附图说明

图1是本实用新型一种半导体致冷器晶片厚度检测装置结构示意图。

图2是本实用新型一种半导体致冷器晶片厚度检测装置结构示意图的A向视图。

图1、图2中，1、标准平板，2、支架，3、横杆，4、上斜杆，5、下斜杆。

具体实施方式

下面结合附图1、图2对本实用新型一种半导体致冷器晶片厚度检测装置作进一步说明。

图1、图2所示的一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，由支架2、标准平板1、横杆3、上斜杆4、下斜杆5组成，所述支架2为三角形采用木质材料制作，三角形的斜度设置为45度至60度；所述标准平板1为矩形，采用钢制材料制作，设置在支架2的斜面上，标准平板1朝上的一面制成光滑平面，并有足够的平整度；所述横杆3设置在标准平板1的上方，横杆3与标准平板1相对的一面制成光滑平面，并有足够的平整度，横杆3与标准平板1之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸的上公差；所述上斜杆4设置在标准平板1的中部，上斜杆4与标准平板1相对的一面制成光滑平面，并有足够的平整度，上斜杆4与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸的下公差；所述下斜杆5设置在标准平板1的下部，与标准平板1之间没有间隙。

工作原理：检验工直接将多块半导体致冷器晶片放在横杆3处，小于标准尺寸上公差的半导体致冷器晶片会自动下滑，落到上斜杆4上，横杆3上不能下滑的半导体致冷器晶片为不合格品，落到上斜杆4上、不能下滑到下斜杆5上的半导体致冷器晶片为合格品，继续下滑到下斜杆5上的半导体致冷器晶片为不合格品。

采用本实用新型一种半导体致冷器晶片厚度检测装置检测半导体致冷器晶片，现有技术比较，省时省力、检测速度快、效率高，减轻了劳动强度，半导体致冷器晶片均在可控尺寸范围内，提高了半导体致冷器的合格率。

    需要特别指出的是，上述实施例的方式仅限于描述本实施例，但本实用新型不止局限于上述方式，且本领域的技术人员据此可在不脱离本实用新型的范围内方便的进行修饰，因此本实用新型的范围应当包括本实用新型所揭示的原理和新特征的最大范围。