[实用新型]一种半导体致冷器晶片厚度检测装置

权利要求书

1.一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：它由支架、标准平板、横杆、上斜杆、下斜杆组成，所述支架为三角形；所述标准平板为矩形，设置在支架的斜面上；所述横杆设置在标准平板的上方，在横杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸上公差；所述上斜杆设置在标准平板的中部，在上斜杆与标准平板之间留有间隙，其间隙为半导体致冷器晶片厚度标准尺寸下公差；所述下斜杆设置在标准平板的下部。

2.根据权利要求1所说的一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：所述支架三角形的斜度设置为45度至60度。

3.根据权利要求1所说的一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：所述标准平板（1）朝上的一面制成光滑平面，并有足够的平整度。

4.根据权利要求1所说的一种半导体致冷器晶片厚度检测装置，其特征是：所述横杆（3）、上斜杆（4）与标准平板（1）相对的一面均制成光滑平面，并有足够的平整度。