[实用新型]一种高功率的边缘控制输出缓冲器

权利要求书

1.一种高功率的边缘控制输出缓冲器，其特征是：该电路包括一对达林顿晶体管输出上拉级和用于提供一个分级电压升高到所述达林顿对的输入基极节点上的电压的装置，所述分级电压增加包括第一、快速上升到第一预定电压电平，其次是第二，缓慢的达到第二预定电压电平，所述的装置用于提供一个配备电压的增加，其至少包括一个以恒定电流充电的固定电容装置，并且所述分级电压增加装置还包括一个用于延迟所述固定电容充电的装置；其中所述恒定电流由耦合在高电位电源电极和达林顿对输出上拉级的第一达林顿晶体管的第一基极节点之间的电流镜产生。 

2.根据权利要求1所述的一种高功率的边缘控制输出缓冲器，其特征是：一个输出缓冲电路包括一对达林顿对输出上拉级和一个装置，其用于提供分级电压的增加，其中包括一个以恒定电流充电的固定电容，其中所述恒定电流由耦合在高电位电源电极和达林顿对输出上拉级的第一达林顿晶体管之间的电流镜产生，且第一二极管连接在所述的第一基极节点和所述固定电容的第一充电电容的高压侧之间，其中所述第一充电电容的一个低压侧直接耦合到一个低电位的电源电极；所述第一充电电容与第二二极管并联连接，所述第二二极管与第二充电电容器串联，其中，所述第二充电电容器直接连接到所述低电位电源电极。所述第一二极管是一个第一连接二极管的晶体管，其中，所述第二二极管是第二连接二极管的晶体管；所述电流镜包括一个或多个并联的耦合在所述高电位电源电极和第一开关的高压侧之间的MOS镜像晶体管，其中所有所述镜像晶体管通过第一镜像控制电压共同的控制，其使用缓冲器的MOS晶体管的外侧，其中，所述第一镜像控制电压耦合到所述所有镜像晶体管的栅极节点；所述第一开关插入在所述电流镜和所述第一达林顿晶体管的基极节点之间，其中，所述第一开关通过施加到所述缓冲器的输入节点的输入电压来激活。 

3.根据权利要求2所述的一种高功率的边缘控制输出缓冲器，其特征是：其中所述第一开关是一个MOS晶体管开关，其耦合在所述电流镜的低压侧和所述第一达林顿晶体管的基极节点之间，其中，所述MOS晶体管开关的栅极节点耦合到所述输入节点；反相器级插入在所述输入节点和所述MOS晶体管开关的栅极节点之间；所述第一达林顿晶体管耦合到所述电源电极的高电位，其中，所述第一达林顿晶体管的发射极节点耦合到第二达林顿晶体管的基极，第二达林顿晶体管的集电极节点耦合到所述电源电极的高电位，第二达林顿晶体管的发射极节点耦合到所述缓冲器输出节点，第二达林顿晶体管的基极耦合到所述缓冲器的输出节点；晶体管耦合在所述高电位电源电极和所述第一开关的高压侧 之间，所述晶体管在所述输入电压施加到输入节点之后激活一定的时间，其中，所述晶体管的一个控制节点通过一个延迟线耦合到所述输入节点；所述晶体管是MOS晶体管；一个输出缓冲电路包括一个控制上拉电路，其中，所述的控制上拉电路包括：(a)一个达林顿对输出级，其具有第一达林顿晶体管和第二达林顿晶体管；(b)一种用于控制所述达林顿对输出级的控制级，所述控制级具有：(i)电流发生器,其在高电位电源电极和发生器输出之间能够通过一个恒定电流，(ii)与发生器输出串联的PMOS开关晶体管串联，当所述开关被激活时，所述恒定电流流动，当所述开关被停用时，所述恒定电流停止流动，其中，所述开关晶体管的栅极节点耦合到用来接收逻辑高和逻辑低电压的缓冲器输入节点，(iii)第一二极管接线的晶体管在结点特性上与所述第一达林顿晶体管类似，其中，所述第一二极管接线的晶体管的集电极节点通过所述PMOS开关晶体管耦合到所述发生器的输出，其中，所述第一二极管接线的晶体管的发射极节点直接耦合到第二二极管接线的晶体管的集电极节点，所述第二二极管接线的晶体管具有与所述第二达林顿晶体管类似的节点特性，(iv)第一充电电容器，其中，所述第一充电电容器连接在所述第一二极管接线的晶体管的发射极节点和低电位电源电极之间，(v)第二电容器充电，其中，所述第二充电电容器连接在所述第二二极管接线的晶体管的发射极节点和低电位电源电极之间；(c)一种MOS晶体管，其中，所述MOS晶体管的运行是在输入电压施加到所述输入节点之后延迟一段时间，所述MOS晶体管耦合在所述高电位电源电极和所述第一达林顿晶体管的基极，其中，所述MOS晶体管的栅极节点通过一个延迟线耦合到输入节点。