[实用新型]退磁检测电路有效

专利信息
申请号: 201320760002.1 申请日: 2013-11-26
公开(公告)号: CN203759231U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 刘柳胜;牟在鑫;郭越勇 申请(专利权)人: 美芯晟科技(北京)有限公司
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12;H05B37/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 刘贝
地址: 100086 北京市海淀区*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 退磁 检测 电路
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种退磁检测电路,具体而言,涉及一种用于恒流驱动的电感退磁时间检测电路,以及应用该电路的控制电路和包括了该控制电路的恒流驱动器。

背景技术

发光二极管(light-emitting diode,LED)因其发光效率高、寿命长等特点,目前越来越多地被用于照明光源。商用或家用的照明设备往往由市电(高压工频交流电)来驱动,这就需要通过AC-DC转换来为LED提供恒定电流。

AC-DC LED驱动电路(驱动器)实际上就是LED的恒流电源电路,该电路将市电转换为特定的输出电流以驱动LED发光,并且利用器件对输出电流进行调制,以使得输出平均电流保持恒定,及输出电流不随输入电压的波动而波动。AC-DC LED驱动电路分为非隔离型和隔离型两种。

中国发明专利申请No.200910246151.4公开了一种“输出电压及电感量变化保持恒流的源级驱动LED驱动电路”。在该专利申请所公开的LED驱动电路中,第二开关晶体管开启时通过比较器设定输出电流的峰值;关断时通过电感电流过零检测器检测电感电流,从而在输出电流到零时使得第二开关晶体管重新开启,保证系统工作在临界连续模式下,输出电流仅由峰值电流确定。在该电路中,采用源极驱动,将第一开关MOS晶体管的栅极固定在一个较低的电压,从而将其源极最高电压限制在一个较低的电平,以采用低压工艺检测第一开关MOS晶体管的源极的波形,找出电流临界的工作点,保证驱动电路工作在临界连续模式。

在类似于中国发明专利申请No.200910246151.4所公开的LED驱动电路中,由于被检测的功率开关管的漏极最高电压比母线电压还高一个二极管压降,高达几百伏,直接在漏极检测退磁结束点非常困难,既不经济,也不便于实现。

实用新型内容

根据本实用新型的实施例,提供了一种退磁检测电路,应用该电路可以在恒流驱动电路中的功率开关管的漏极端检测电感退磁时间。

根据本实用新型的一个方面,提供了一种退磁检测电路,包括:压降单元,参考电平发生单元和比较单元,其中,压降单元与被测功率开关管的漏极端连接,用于降低来自该漏极端的信号的电压,并将降压后的漏极信号发送给比较单元;参考电平发生单元生成参考阈值,并将该参考阈值发送给比较单元;比较单元的不同输入端分别接收降压后的漏极信号和参考阈值,并且比较单元将降压后的漏极信号和参考阈值进行比较,来检测退磁结束时间点。

根据本实用新型实施例的退磁检测电路,可选地,压降单元进一步连接在被测功率开关管的漏极端和内部电源端之间,当漏极端的电压为高电平时,该漏极端通过压降单元为内部电源端供电。

根据本实用新型实施例的退磁检测电路,可选地,压降单元包括压降元件,该压降元件的输入端与被测功率开关管的漏极端连接,其输出端连接到比较单元的一个输入端,并且在压降元件的输出端和内部电源端之间进一步串联有二极管和/或电阻,其中二极管的正极连接到压降元件一侧,其负极连接到内部电源端一侧。

根据本实用新型实施例的退磁检测电路,可选地,压降元件是结型场效应管或绝缘栅场效应管。

根据本实用新型实施例的退磁检测电路,可选地,参考阈值是恒定的参考电平或者是浮动的参考电平。

根据本实用新型实施例的退磁检测电路,可选地,在压降元件的输入端和输出端之间并联有电容。

根据本实用新型的另一个方面,提供了一种用于恒流驱动器的控制电路,包括:上述的退磁检测电路,恒流算法控制器,PWM控制器,峰值检测器和驱动级,其中,退磁检测电路与恒流驱动器的功率开关管的漏极连接,以接收功率开关管的漏极信号,并且该退磁检测电路在检测到退磁结束时间点后发送信号给恒流算法控制器;恒流算法控制器基于退磁检测电路检测到的退磁结束时间点向PWM控制器发出第一控制信号;峰值电流检测器通过检测恒流驱动器的采样电阻的电压来检测功率开关管的源漏极电流,并根据 该电流检测结果向PWM控制器发出第二控制信号;PWM控制器基于第一控制信号和/或第二控制信号生成PWM信号,并将该PWM信号发送给驱动级;驱动级的输出端与功率开关管的栅极连接,以根据PWM信号导通或关断该功率开关管。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美芯晟科技(北京)有限公司,未经美芯晟科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201320760002.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top