[实用新型]退磁检测电路有效
| 申请号： | 201320760002.1 | 申请日： | 2013-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN203759231U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 刘柳胜;牟在鑫;郭越勇 | 申请（专利权）人： | 美芯晟科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/12 | 分类号： | G01R33/12;H05B37/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘贝 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退磁 检测 电路 | ||
1.一种退磁检测电路(10)，其特征在于，包括：压降单元(11)，参考电平发生单元(12)和比较单元(13)，其中，
压降单元(11)与被测功率开关管(M1)的漏极端(DRAIN)连接，用于降低来自该漏极端(DRAIN)的信号的电压，并将降压后的漏极信号(Vx)发送给所述比较单元(13)；
参考电平发生单元(12)生成参考阈值(Vref_DM)，并将该参考阈值(Vref_DM)发送给所述比较单元(13)；
所述比较单元(13)的不同输入端分别接收所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM)，并且所述比较单元(13)将所述降压后的漏极信号(Vx)和所述参考阈值(Vref_DM)进行比较，来检测退磁结束时间点。
2.根据权利要求1所述的退磁检测电路(10)，其特征在于，所述压降单元(11)进一步连接在被测功率开关管(M1)的漏极端(DRAIN)和内部电源端(VDD)之间，当所述漏极端(DRAIN)的电压为高电平时，该漏极端(DRAIN)通过所述压降单元(11)为所述内部电源端(VDD)供电。
3.根据权利要求2所述的退磁检测电路(10)，其特征在于，所述压降单元(11)包括压降元件(JFET，MOS)，该压降元件(JFET，MOS)的输入端与被测功率开关管(M1)的所述漏极端(DRAIN)连接，其输出端连接到所述比较单元(13)的一个输入端，并且在所述压降元件(JFET，MOS)的输出端和所述内部电源端(VDD)之间进一步串联有二极管(D)和/或电阻(R)，其中所述二极管(D)的正极连接到所述压降元件(JFET，MOS)一侧，其负极连接到所述内部电源端(VDD)一侧。
4.根据权利要求3所述的退磁检测电路(10)，其特征在于，所述压降元件(JFET，MOS)是结型场效应管(JFET)或绝缘栅场效应管(MOS)。
5.根据权利要求3所述的退磁检测电路(10)，其特征在于，在所述压 降元件(JFET，MOS)的输入端和输出端之间并联有电容。
6.根据权利要求1所述的退磁检测电路(10)，其特征在于，所述参考阈值(Vref_DM)是恒定的参考电平或者是浮动的参考电平。
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