[实用新型]一种再布线金属层和高密度再布线封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种再布线金属层和高密度再布线封装结构，属于半导体封装技术领域。

背景技术

随着无线手持设备、掌上电脑以及其他移动电子设备的增加，半导体产业飞速发展并向各行业迅速渗透。其芯片封装结构中的再布线金属层是连接半导体和电子系统的一道桥梁。

典型的再布线技术采用具有感光性能的多层聚酰亚胺胶薄膜作为各个金属层之间的介电层，层层叠叠的布线结构需要在光刻工艺过程中通过多次的涂胶、曝光、显影、固化等工艺步骤，利用聚酰亚胺胶优良的电气绝缘性能达到芯片原有压点的转移，如图1所示，以两层金属布线为例，金属层T310、T320与介电层T210、T220、T230、T240 交叉叠加分布，介电层隔离上下相邻的金属层。金属层T310的金属层横部位于介电层T220之内、介电层T210之上，金属层T310的金属层纵部贯穿介电层T210，金属层T320的金属层横部位于介电层T240之内、介电层T230之上，金属层T320的金属层纵部贯穿介电层T230与金属层T310的金属层横部连接。可见，传统的再布线技术形成的再布线金属层至少需要两层介电层才能完成一层金属层的制作，层层叠叠的介电层布线结构，使再布线金属层结构繁杂，不利于提高单位空间内的再布线密度；频繁地使用介电层，需要繁琐的工艺步骤配合，不利于芯片布线高密度化的进一步发展。

发明内容

本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种减少介电层的层数、再布线金属层结构简洁、提高单位空间内的再布线密度、有利于再布线高密度化进一步发展的再布线金属层和高密度再布线封装结构。

本实用新型是这样实现的：

本实用新型一种再布线金属层，包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，所述金属层也有若干层，上下相邻的所述金属层彼此连接，所述再布线金属层的上下表面设有与金属部件连接的上连接端面和下连接端面，每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽和介电层纵向线槽呈上下分布，所述介电层横向线槽的深度小于介电层的厚度，所述介电层横向线槽的尺寸不小于介电层纵向线槽的尺寸，所述线槽内设置所述金属层，每一所述金属层与设置该金属层的介电层形成于同一层。

可选地，所述再布线金属层的层数为至少两层以上。

可选地，所述介电层纵向线槽设置于介电层横向线槽的下方的介电层内。

可选地，所述介电层横向线槽的深度为其所在介电层的厚度的一半。

可选地，所述介电层纵向线槽的纵截面为矩形、平行四边形、梯形或倒梯形。

可选地，所述介电层纵向线槽与所述介电层横向线槽倾斜连接，所述介电层纵向线槽的中心线与介电层横向线槽的的中心线的夹角为α，α的范围为0°～60°。

可选地，所述金属部件为电极、金属柱/金属块或焊球凸点。

采用上述再布线金属层结构形成的高密度再布线封装结构，包括带有若干个芯片电极的基体，所述基体的表面为芯片表面钝化层，在芯片电极的上方形成芯片表面钝化层开口，所述芯片表面钝化层的表面设置上述再布线金属层，所述再布线金属层的表面覆盖保护层并选择性地形成保护层开口，所述再布线金属层的下连接端面通过芯片表面钝化层开口与芯片电极连接，其上连接端面通过保护层开口与布线端口接点连接。

可选地，所述芯片表面钝化层开口的尺寸大于所述再布线金属层的下连接端面所在介电层纵向线槽的尺寸。

可选地，所述布线端口接点为焊球或金属柱微凸点结构。

本实用新型采用激光刻蚀技术制作容纳金属层的贯穿介电层的线槽，激光刻蚀技术的高效、高精度使制成的金属层不仅定位准确，而且线槽的线宽线距尺寸精度高而稳定，省去了传统光刻工艺中的曝光、显影等繁琐的工艺，减少了底片制造、应用、保存与维护等工序，消除了由于底片图像转移带来的尺寸精度和误差问题，使工序简化，也使封装结构的再布线金属层结构简单。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型采用激光刻蚀技术制作再布线金属层的线宽线距，制得的金属层定位准确，尺寸稳定，且使每一所述金属层与设置该金属层的介电层形成于同一层，简化了再布线金属层结构，同时减少了介电层的层数、减小了成形于其内的金属层与形成于上层介电层线槽内的金属层之间的距离，提高了单位空间内的再布线密度，有利于芯片布线高密度化进一步发展。

附图说明：

图1为现有再布线金属层封装结构的剖面示意图；

图2为本实用新型一种再布线金属层的实施例的剖面示意图；