[实用新型]一种再布线金属层和高密度再布线封装结构

权利要求书

1.一种再布线金属层，包括若干层介电层和设置于介电层内的金属层，所述金属层也有若干层，上下相邻的所述金属层彼此连接，所述再布线金属层（100）的上下表面设有与金属部件连接的上连接端面（101）和下连接端面（102），

其特征在于：每一所述介电层开设贯穿该介电层的线槽，所述线槽包括介电层横向线槽和介电层纵向线槽，所述介电层横向线槽和介电层纵向线槽呈上下分布，所述介电层横向线槽的深度小于介电层的厚度，所述介电层横向线槽的尺寸不小于介电层纵向线槽的尺寸，所述线槽内设置所述金属层，每一所述金属层与设置该金属层的介电层形成于同一层。

2.根据权利要求1所述的再布线金属层，其特征在于：所述再布线金属层的层数为至少两层以上。

3.根据权利要求1所述的再布线金属层，其特征在于：所述介电层纵向线槽设置于介电层横向线槽的下方的介电层内。

4.根据权利要求1所述的再布线金属层，其特征在于：所述介电层横向线槽的深度为其所在介电层的厚度的一半。

5.根据权利要求1所述的再布线金属层，其特征在于：所述介电层纵向线槽的纵截面为矩形、平行四边形、梯形或倒梯形。

6.根据权利要求5所述的再布线金属层，其特征在于：所述介电层纵向线槽与所述介电层横向线槽倾斜连接，所述介电层纵向线槽的中心线与介电层横向线槽的的中心线的夹角为α，α的范围为0°～60°。

7.根据权利要求1所述的再布线金属层，其特征在于：所述金属部件为电极、金属柱/金属块或焊球凸点。

8.一种高密度再布线封装结构，包括带有若干个芯片电极（211）的基体（210），所述基体（210）的表面为芯片表面钝化层（220），在芯片电极（211）的上方形成芯片表面钝化层开口（221），

其特征在于：所述芯片表面钝化层（220）的表面设置如权利要求1至7中任一项所述的再布线金属层（100），所述再布线金属层（100）的表面覆盖保护层（400）并选择性地形成保护层开口（401），所述再布线金属层（100）的下连接端面（102）通过芯片表面钝化层开口（221）与芯片电极（211）连接，其上连接端面（101）通过保护层开口（401）与布线端口接点连接。

9.根据权利要求8所述的高密度再布线封装结构，其特征在于：所述芯片表面钝化层开口（221）的尺寸大于所述再布线金属层（100）的下连接端面（102）所在介电层纵向线槽的尺寸。

10.根据权利要求8所述的高密度再布线封装结构，其特征在于：所述布线端口接点为焊球（501）或金属柱微凸点结构。