[实用新型]测量标记

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种测量标记。

背景技术

集成电路（Integrated Circuit，IC）按照摩尔定律的演进，集成度不断提高，关键尺寸（CD）在不断减小。这就导致在不断微缩的器件结构中，引起器件失效的缺陷也会越来越小。虽然通过缺陷检测系统可以捕捉到大部分制造过程中产生的各种缺陷，但业内难以据此获知产生这些缺陷的原因是什么。扫描电子显微镜（Scanning Electron Microscope，SEM）是一种常用的失效分析设备，利用SEM可以对样品截面或表面进行细微的观察。SEM的放大倍率可以达到数十万被，分辨率达到纳米级别，因此完全能够满足现阶段的需求。

目前，在光刻工艺中，SEM可以用来检测关键尺寸，在这一过程中，通常采用多个曝光单元（shot），分别在光学显微镜下和电子显微镜下进行测量，从而计算并进行定位（locate wafer map）。如图1所示，例如在晶片1中选取了3个构成三角形的曝光单元2（以涂有阴影表示）加以测量并对准。但是，这种方法仅是考虑到了每个曝光单元之间的失真（inter shot OVL distortion），每个曝光单元自身的失真（intra shot OVL distortion）却没有计算在内，从而经常会导致定位失败，进而无法测量。

因此，需要对目前的SEM测量方法加以改进，以降低定位失败的几率，提高对准精确度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于，提供一种测量标记，以减少进行测量时出现定位失败的几率，提高对准精度。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种测量标记，用于晶片在扫描电子显微镜下的测量，包括：

四个第一标记，所述第一标记位于一曝光单元外的四个顶角处；

第二标记，位于所述曝光单元外的一个顶角处，所述第二标记为“十”字形，由所述“十”字形分割出四个空白区域，位于该顶角处的第一标记位于所述空白区域中，且所述第二标记与该第一标记的相对位置固定不变。

可选的，对于所述的测量标记，所述第一标记为正方形，其边长为8-12μm。

可选的，对于所述的测量标记，所述第二标记的宽度为4-8μm，长度为40-60μm。

可选的，对于所述的测量标记，所述第二标记与其所靠近的第一标记在X方向的间距为2-6μm，在Y方向的间距为2-6μm。

可选的，对于所述的测量标记，所述晶片包括多个所述曝光单元，所述第二标记的四个空白处皆对应有一个第一标记。

与现有技术相比，本实用新型提供的测量标记，包括位于曝光单元外四个顶角处的四个第一标记及靠近一个第一标记的第二标记，该第一标记与第二标记的相对位置固定，所述第二标记为“十”字形。相比现有技术，当进行测量时，由于是多个曝光单元，因此每个第二标记的空白处皆存在一个第一标记，则通过测量每个第一标记与第二标记之间的距离，既能够得到曝光单元之间的位置关系，又能够明确每个曝光单元自身的例如缩放、偏移、旋转等变动，从而能够达到较为精确和快速的对准。

附图说明

图1为现有技术中SEM测量是的示意图；

图2为本实用新型一实施例中测量标记的结构示意图；

图3为本实用新型一实施例中存在多个曝光单元时测量标记的分布示意图；

图4为本实用新型一实施例中由所述测量标记进行测量的示意图；

图5为本实用新型一实施例中由所述测量标记进行分析的示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的测量标记进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。