[实用新型]半导体发光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种对芯片尺寸封装有效的半导体发光装置。

背景技术

随着半导体发光元件的高亮度化，半导体发光元件（以下除非另有说明，将其称为“LED管芯”）也变得大型化，能得到1mm×（0.5～1）mm左右的尺寸。由于该大小与电阻等其他芯片部件的大小程度相同，因此期望用树脂等将LED管芯封装化制成的半导体发光装置（以下除非另有说明，将其称为“LED装置”）能够具有与LED管芯相同程度的平面尺寸。由于该封装直接反映LED管芯的尺寸，因此有时被称为芯片尺寸封装（以下称为“CSP”）。对于CSP，安装面积可以很小，封装用部件也可以很少。并且，对于CSP，其具有如下特征，即按照需要的亮度，能够简单地更改装载于主基板的个数，由此增加了照明装置等的设计的自由度。

图10是作为第一现有例而示出的CSP化的发光装置100（LED装置）的剖面图。

图10中记载的发光装置100是CSP的最终品，是LED管芯的芯片尺寸与封装的外形一致的LED装置，在日本特开2010-141176号公报中被揭示。

在LED装置100中，层叠体112c（半导体层）的上表面层叠有荧光体层130和透镜132。层叠体112的下部有电解电镀时共同电极未被蚀刻而残留的种金属122a和122b、铜布线层124a和124b、用电解电镀形成的柱状的铜柱126a和126b。

层叠体112c具有p型包覆层112b、发光层112e和n型包覆层112a。层叠体112c的下表面被一部分开口的绝缘层120覆盖。铜柱126a和126b的下部附着有焊锡球136a和136b。并且，在铜柱126a和126b之间填充有加固树脂128。

图10中示出的LED装置100的平面尺寸与层叠体112c的平面尺寸一致。由于LED装置100是通过将LED装置100排列连结的晶片单片化而得到，在由CSP分类的产品组中最为小型化，因此也被称为WLP（晶片级封装）。LED装置100由于去除了层叠体112c上原来有的透明绝缘基板（参照日本特开2010-141176号公报的第0026段和图2），因此来自发光层112e的光就仅向上方（箭头C）射出。因此仅在LED装置100的上部设置荧光体层130即可。

在图10示出的LED装置100中，为了去除透明绝缘基板而使用了激光，但是在该情况下，制造装置会变得大规模，或者制造工序会变长。并且，由于LED装置100以晶片级形成荧光体层130，因此无法应对晶片上的单个LED管芯所具有的发光特性的偏差。其结果是，产生难以进行发光颜色的管理这一问题。

实用新型内容

因此，作为小型的、容易制作且发光颜色容易管理的LED装置，本申请的实用新型者对按如下方式形成的倒装安装用的LED装置进行试制：留下透明绝缘基板，用白色反射构件将透明绝缘基板的侧面连同在其下表面形成的半导体层的侧面一起覆盖，用荧光体片覆盖透明绝缘基板的上表面（参照日本特开2012-227470号公报）。

图11是作为第二例而示出的LED装置200的剖面图。并且，LED装置200是日本特开2012-227470号公报中示出的LED装置。

LED装置200将具有蓝宝石基板214b（透明绝缘基板）和在其下表面形成的半导体层215b的LED管芯216b作为中心，在LED管芯216b的上表面配备对出射光进行波长变换的荧光体片211b，在侧面具有白色反射部件217b。在荧光体片211b和蓝宝石基板214b之间有粘结层213b，将荧光体片211b和蓝宝石基板214b相粘合。并且，LED管芯216b的与半导体层215b连接的凸起电极218b和219b分别是阳极和阴极，作为用于与主基板连接的外部连接电极。另外，主基板是指安装电阻、电容等其他电子部件以及LED装置200的基板。

对于LED装置200，由于能够按照单个LED管芯216b的发光特性来更改荧光体片211b，因此发光颜色的管理就很容易，由于白色反射构件217b的厚度在100μm以下也是足够的，因此是小型的。进一步地，由于能够应用集合施工方法，在排列了多个LED管芯216b的状态下进行加工，最后通过单片化得到单个LED装置200，因此很容易制造。

在图11示出的LED装置200中，将LED管芯216b倒装安装于评价用电路基板，相对于仅用荧光树脂覆盖LED管芯216b的比较用LED装置，总光通量为70%左右。即，在CSP化中，必须尽可能减小发光损失。