[实用新型]具有传输电路的操控电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种具有用于越过势垒传输信号的传输电路的操控电路，如其在功率半导体模块的驱动器电路中应用的那样。

背景技术

现有技术尤其由DE102010018997A1形成。该专利文献公开了一种具有传输电路的操控电路，用于将信号从具有第一基础电位的第一电位侧传输到至少一个具有相应第二基础电位的第二电位侧，该操控电路具备带有初级侧与次级侧之间的电容耦合的传输器。在这种情况下，传输器具有两个分支，即具有一个ON-传输分支和一个OFF-传输分支，它们本身分别具有第一子分支和第二子分支，其中，初级侧与次级侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过高压电容器来实施。依据该发明的方法，在每个传输分支中，那里的信号产生流过第一子分支的第一HV电容器的电流和流过第二子分支的第二HV电容器的反向电流。相应的电流在次级侧上被探测到并且被输送给两个子分支的共同的评估电路，评估电路在次级侧重构初级侧的输入信号。

实用新型内容

本实用新型的任务在于，通过如下方式改进公知的传输电路，即，使得信号也能够越过如下势垒传输，其中第一电位侧与第二电位侧之间的电压差高于单个高压电容器的介电强度。

根据本实用新型，该任务通过一种将在下面详细描述的功率电子系统来解决。优选的实施方式也将在下文中加以描述。

本实用新型包括一种具有传输电路的操控电路，用于越过势垒将信号从具有第一基础电位的第一电位侧传输至具有第二基础电位的第二电位侧，操控电路具备带有初级侧与次级侧之间的电容耦合的电容式起作用的传输装置，其中，传输装置具有正好一个或者两个分支，因此仅具有一个ON-传输分支或者具有一个ON-传输分支和一个OFF-传输分支，它们本身分别具有第一和第二子分支，其中，第一电位侧与第二电位侧之间的电容耦合在每个子分支中都通过串联多个第一高压电容器及第二高压电容器来构造，所述高压电容器又与第二电位侧上配属的电容器一起形成各一个串联电路，其中，在相应的传输分支内部，信号直接接在第一子分支上并且经由第二反相器接在第二子分支上，并且其中，在两个分支中，输入端上的信号直接接在ON-传输分支上并且经由第一反相器接在OFF-传输分支上。

表明有利的是，与分支的第一高压电容器和第二高压电容器并联地布置有具有与第一高压电容器和第二高压电容器相同数量的对称电容器的另一电容分压器，其中，对称电容器的每个中间电位都与配属的高压电容器借助于齐纳二极管补偿电路连接。

此外，已经表明有利的是，齐纳二极管补偿电路构造为各两个由两个齐纳二极管组成的串联电路，齐纳二极管以其阳极或者阴极彼此连接，并且其阴极或者阳极一方面与对称电容器的相应的中间电位连接而另一方面与高压电容器的配属的中间电位连接。

也可以有利的是，对称电容器的串联电路与第一电位侧和第二电位侧的供电电位连接。

尤其有利的是，与每个对称电容器都并联有一个限压电路。

此外，可以有利的是，具有上下接头的限压电路由其他齐纳二极管的串联电路和并联的限压晶体管组成，限压晶体管的源极与限压电路的下接头连接，限压晶体管的漏极与限压电路的上接头连接，并且限压晶体管的栅极一方面与串联电路的第一齐纳二极管的阴极连接，而另一方面经由电阻与串联电路的第一齐纳二极管的阳极连接。

原则上，尤其当从具有第一基础电位的第一电位侧至具有第二基础电位的第二电位侧的总电位差大于高压电容器的介电强度，并且同时或者替选地，该总电位差大于第二电位侧至基底的绝缘强度的时候，对于操控电路来说表明有利的是，相应的部件分别以单片集成的方式布置在多个彼此电绝缘的基底上。此外，在这种情况下还有利的是，齐纳二极管补偿电路的中点与基础电位导电连接。

这可以有利地设计，方法是：相应的部件布置在两个基底上，并且在这种情况下，第一电位侧的部件布置在第一基底上，而第二电位侧的部件布置在第二基底上。替选地，相应的部件布置在多于两个基底上，并且在这种情况下，第一电位侧的部件布置在第一基底上，而第二电位侧的部件布置在第二基底上，以及高压电容器和配属的限压电路布置在相应的自身的其他基底上。在这种情况下特别优选的是，相应的基底布置在多芯片模块内部。