[实用新型]一种生成直流偏置的装置

权利要求书

1.一种生成直流偏置的装置，其特征在于，所述直流偏置生成装置包括： 

电压检测器(310)，被配置用于检测系统供电电压并在输出端处产生触发信号； 

控制信号发生器(320)，其被配置用于接收所述触发信号并根据所述触发信号生成用于控制直流偏置的生成的控制信号；以及 

直流偏置发生器(330)，其被配置用于在控制输入端接收所述控制信号，并根据所述控制信号生成直流偏置，以使得在所述供电电压为第一电压时，生成具有第一值的所述直流偏置，而在所述供电电压为异于所述第一电压的第二电压时，生成具有第二值的所述直流偏置，其中所述第一值异于所述第二值。 

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述直流偏置发生器(330)被配置用于在所述第一值与所述第二值之间平滑地过渡。 

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述控制信号发生器(320)包括电感电路和镜像电路，所述电感电路连接在所述电压检测器的输出端与地之间，流经所述电感电路的电流通过所述镜像电路生成镜像电流，以作为所述控制信号注入至所述直流偏置发生器的控制输入端。 

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述电感电路(320)包括电感器L或等效电感电路。 

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述等效电感电路包括电阻电路、电容电路以及晶体管电路，所述电阻电路和所述电容电路串联，所述晶体管电路连接在所述镜像电路与接地之间，且与所述电阻电路和所述电容电路的中间节点连接。 

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述电阻电路包括电阻器Ro，所述电容电路包括电容器C1，所述晶体管电路包括晶体管M1，所述电阻器Ro和所述电容器C1串联连接在所述电压检测 器(310)的输出端与地之间，所述晶体管M1的源极接地，所述晶体管M1的栅极和漏极分别与所述电阻器Ro和所述电容器C1的中间节点和所述镜像电路的电流输入端相连，所述镜像电路的镜像输出端与所述直流偏置发器(330)的所述控制输入端连接。 

7.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述电阻电路包括被配置用于实现倍增等效电阻的电阻倍增器。 

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述电阻倍增器包括电阻器Ro，NMOS晶体管M3和PMOS晶体管M4，其中所述电阻器Ro与NMOS晶体管M3构成具有源极负反馈的N型共源极级，且所述述电阻器Ro与PMOS晶体管M4构成具有源极负反馈的P型共源极级。 

9.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述晶体管电路包括以共源极方式连接的NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2，所述NMOS晶体管M1和所述NMOS晶体管M2的源极经过尾电流源而接地，所述NMOS晶体管M1的漏极接汽车信号处理器的内部电源电压V_DD，其栅极与所述电阻电路和所述电容电路的中间节点连接，所述NMOS晶体管M2的漏极与源极连接在一起并与NMOS晶体管M3和PMOS晶体管M4的栅极连接，且通过二极管D1连接至所述镜像电路的电流输入端。 

10.根据权利要求5、7至9其中任一项所述的装置，其特征在于，所述电容电路包括用于实现倍增等效电容的电容倍增器。 

11.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述电容倍增器包括基于放大器的电流型电容倍增电路。 

12.根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述电容倍增器包括基于晶体管的电流型电容倍增电路。 

13.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述直流偏置发生器包括放大器A2，以及电阻器R1和电阻器R2，其中所述电阻器R1和所述电阻器R2串联连接在地与放大器的输出端之间，且其中间节点与所述放大器A2的负极性输入端相连，所述放大器A2 的正极性输入端接收内部带隙信号Vbg。 

14.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一电压大于所述第二电压，以及所述第一值大于所述第二值。 

15.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述电压检测器(310)被配置为通过检测所述系统供电电压来检测车辆引擎的启停操作。