[实用新型]一种LED芯片

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，具体涉及一种LED芯片。 

背景技术

由于LED具有环保、节能、寿命长等优点，得到的广泛的应用。图1为现有技术中的水平结构LED芯片的结构示意图。由图1可知，该LED芯片具有如下特征：（1）该外延片结构中生长有常规的N型半导体层2'；（2）P电极8'直接沉积在P型半导体5'表面的ITO材料的电流扩散层（Current Diffusion Layer，CDL）7'之上，且P电极8'下方设置有SiO₂材料的电流阻挡层（Current Blocking Layer，CBL）6'；（3）N电极5'直接接触N型半导体层2'。 

在该LED芯片中，由于ITO材料的导电性好，而电流会选择电阻最小的路径进行传输扩散，所以电流从P电极8'注入后会沿电流扩散层7'表面快速扩散到台阶区域，然后再直接向下依次穿过P型半导体层5'、电子阻挡层（Electron Blocking Layer，EBL）4'、多量子阱（Multiple Quantum Wells，MQW）3'后进入N电极。该现象对LED芯片造成了一系列不良影响。首先，P型半导体层5'台阶边缘和N型半导体层2'中N电极5'附近的位置的电流密度很强，容易出现电流拥挤效应，从而导致电压偏高。其次，由于绝大部分电流是电流阻挡层6 '形成的台阶边缘处向下穿越多量子阱3'，其它区域（特别是电流阻挡层6 '正下方中心区域）多量子阱3'中注入的电流密度很低，发光很少，导致整体LED芯片的发光亮度偏低。 

发明内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术问题之一或至少提供一种有用的商业选择。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种驱动电压低、发光亮度高的LED芯片。实用新型本实用新型提供一种LED芯片，包括： 

衬底；

形成在衬底之上的缓冲层，所述缓冲层包括成核层和形成在成核层上的本征层；

N型半导体层，所述N型半导体层位于所述缓冲层之上；

多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半导体层之上，所述多量子阱的面积小于所述N型半导体层的面积，以在所述N型半导体层上形成N电极安装区；

电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述多量子阱之上；

P型半导体层，所述P型半导体层位于所述电子阻挡层之上，所述P型半导体层具有线形开口，所述线形开口的底部与所述电子阻挡层接触；

N电极，所述N电极形成在所述N电极安装区上，；

P电极，所述P电极包括：

P电极线部，所述P电极线部填充所述线形开口的底部；

P电极端部，所述P电极端部位于所述P型半导体层之上并且位于所述线形开口上边缘的一端；和

P电极连接部，所述P电极连接部连接所述P电极端部和所述P电极线部的一端；以及

隔离层，所述隔离层位于所述P电极端部与所述P型半导体层之间，所述隔离层的形状与所述P电极端部的形状相匹配。

进一步，所述N电极包括： 

N 电极线部，所述N电极线部与所述线形开口平行；和

N电极端部，所述N电极端部与所述N电极线部的一端相连。

进一步，所述N电极安装区靠近所述LED芯片的一侧，所述线形开口靠近所述LED芯片的另一侧。 

进一步，所述隔离层延伸至所述线形开口的侧壁。 

进一步，所述N型半导体层包括： 

第一N型半导体层，所述第一N型半导体层位于所述缓冲层之上；以及

第二N型半导体层，所述第二N型半导体层位于所述第一N型半导体层之上，其中

所述第一N型半导体层的面积大于所述第二N型半导体层的面积，以在所述第一N型半导体层上形成N电极安装区。

进一步，所述LED芯片还包括： 

N电极电流扩散层，所述N电极电流扩散层位于所述N电极与所述N型半导体层之间，且所述N电极电流扩散层的形状与所述N电极的形状相匹配。

进一步，所述N电极电流扩散层由ITO构成。 

进一步，所述LED芯片还包括： 

出光层，所述出光层位于所述P型半导体层顶表面的未被所述P电极覆盖的区域之上。

进一步，所述出光层由ITO构成。 

实用新型本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。 

附图说明