[实用新型]一种LED芯片

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

形成在衬底之上的缓冲层，所述缓冲层包括成核层和形成在成核层上的本征层；

N型半导体层，所述N型半导体层位于所述缓冲层之上；

多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半导体层之上，所述多量子阱的面积小于所述N型半导体层的面积，以在所述N型半导体层上形成N电极安装区；

电子阻挡层，所述电子阻挡层位于所述多量子阱之上；

P型半导体层，所述P型半导体层位于所述电子阻挡层之上，所述P型半导体层具有线形开口，所述线形开口的底部与所述电子阻挡层接触；

N电极，所述N电极形成在所述N电极安装区上，；

P电极，所述P电极包括：

P电极线部，所述P电极线部填充所述线形开口的底部；

P电极端部，所述P电极端部位于所述P型半导体层之上并且位于所述线形开口上边缘的一端；和

P电极连接部，所述P电极连接部连接所述P电极端部和所述P电极线部的一端；以及

隔离层，所述隔离层位于所述P电极端部与所述P型半导体层之间，所述隔离层的形状与所述P电极端部的形状相匹配。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极包括：

N 电极线部，所述N电极线部与所述线形开口平行；和

N电极端部，所述N电极端部与所述N电极线部的一端相连。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极安装区靠近所述LED芯片的一侧，所述线形开口靠近所述LED芯片的另一侧。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述隔离层延伸至所述线形开口的侧壁。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层包括：

第一N型半导体层，所述第一N型半导体层位于所述缓冲层之上；以及

第二N型半导体层，所述第二N型半导体层位于所述第一N型半导体层之上，其中

所述第一N型半导体层的面积大于所述第二N型半导体层的面积，以在所述第一N型半导体层上形成N电极安装区。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：

N电极电流扩散层，所述N电极电流扩散层位于所述N电极与所述N型半导体层之间，且所述N电极电流扩散层的形状与所述N电极的形状相匹配。

7.如权利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N电极电流扩散层由ITO构成。

8.如权利要求1-5中任一项所述的LED芯片，其特征在于，还包括：

出光层，所述出光层位于所述P型半导体层顶表面的未被所述P电极覆盖的区域之上。

9.如权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述出光层由ITO构成。