[实用新型]一种CMOS工艺兼容的双差分存储单元

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种CMOS工艺兼容的双差分存储单元。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，闪存与EEPROM不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。

但现有闪存制作技术，都不能与标准的CMOS工艺兼容，需要额外的特殊工艺制造，因此在大批量生产的过程中极大地提高了制造成本。而且闪存的存储单元所采用的单差分结构，不能完全保证存储在内的信息的可靠性。

因此，希望提出一种能在CMOS工艺上实现的高可靠性的闪存存储单元，来提高信息存储的可靠性，降低制造成本。

实用新型内容

本实用新型提供了一种可以解决上述问题的存储单元，包括以下结构：

两个完全相同的模块：模块A和模块B，其特征在于，模块A和模块B分别包括三个子模块；模块A包括子模块A1、A2、A3、其中子模块A1和A2完全对称；模块B包括子模块B1、B2、B3，其中子模块B1和B2完全对称；所述子模块A1包括三个晶体管MA11、MA12、MA13，其中晶体管MA11的源极、漏极和衬底连在一起，最后接在D0线上，晶体管MA12的源极、漏极和衬底连在一起，最后接在TUN线上，晶体管MA13的源极与衬底相连，并与子模块A3的晶体管MA31的衬底相连，最后接在REN线上，晶体管MA13的漏极与晶体管MA23的源极相连，晶体管MA11、MA12、MA13的栅极连在一起，构成浮栅FG0；所述子模块A2包括三个晶体管MA21、MA22、MA23，接法同子模块A1完全对称，其中晶体管MA21、MA22、MA23的栅极连在一起构成浮栅FG1；所述子模块A3包括一个晶体管MA31，其栅极连在RSB线上，晶体管MA31的源极与晶体管MA23的漏极和晶体管MB23的漏极相连，最后通过一个由SEL信号控制的传输门连在REN线上，晶体管MA31的衬底与晶体管MA13的衬底和源极、晶体管MB13的衬底和源极相连，最后接在REN线上，晶体管MA31的漏极作为数据输出端；模块B与模块A的接法完全对称，其中子模块B1、B2中的浮栅分别称为FG2、FG3，晶体管MB11和晶体管MB21的源极、漏极和衬底连在一起，并与D1线相连。

与现有技术相比，采用本实用新型提供的技术方案具有如下优点：通过采用普通晶体管作为基本元器件，实现了与标准CMOS工艺的兼容。同时采用双差分结构提高了信息存储的可靠性。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为根据本实用新型的存储单元的结构图。

具体实施方式

下面详细描述本实用新型的实施例。

所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本实用新型提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

本实用新型提供了一种在CMOS工艺上实现的高可靠性的闪存存储单元。下面，将结合图1通过本实用新型的一个实施例对存储单元结构进行具体描述。