[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。在TFT-LCD行业中，高级超维场转换（ADvanced super Dimension Switch，ADSDS）型薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）面内电场驱动模式的TFT-LCD产品，不但可提高TFT-LCD产品的画面品质，而且具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（Push Mura）等优点，ADSDS型TFT-LCD产品已经成为主流产品。

阵列基板的栅极驱动（Gate Driver on Array，GOA）技术是将形成栅极驱动电路的TFT集成于阵列基板上，从而省掉栅极驱动集成电路部分，从材料成本和工艺步骤两个方面来降低产品的成本。

目前，在TFT-LCD行业中，一方面为了使TFT-LCD产品具有较好的视觉效果，即：每英寸所拥有的像素（Pixels Per Inch，PPI）数目尽可能的高，另一方面为了能够降低产品的成本而采用GOA技术，因此，当制备高PPI并且采用GOA技术的阵列基板时，一般需要通过七次掩模工艺才能完成。然而，掩模工艺的成本和复杂度都很高，掩模的应用次数越多其制造成本就会越高，而且产品质量也越难保证。

发明内容

有鉴于此，本实用新型实施例的主要目的在于提供一种阵列基板及显示装置，可在现有工艺基础上减少一次掩模工艺次数，从而能降低制造成本和提高产品良品率。

为达到上述目的，本实用新型实施例的技术方案是这样实现的：

本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及在衬底基板上形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其中，所述像素电极的图案位于栅极绝缘层的图案和欧姆接触层的图案之间。

优选地，所述栅极绝缘层的图案位于栅极的图案和像素电极的图案之间；所述欧姆接触层的图案位于有源层的图案和像素电极的图案之间。

优选地，所述阵列基板具体包括：衬底基板以及在衬底基板上依次形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案和源漏电极的图案。

优选地，所述阵列基板还包括：在源漏电极的图案上方依次形成的钝化层的图案以及公共电极的图案。

本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本实用新型实施例提供的一种阵列基板及显示装置，所述阵列基板包括衬底基板以及在衬底基板上形成的栅极的图案、栅极绝缘层的图案、像素电极的图案、欧姆接触层的图案、有源层的图案、源漏电极的图案，其中，所述像素电极的图案位于栅极绝缘层的图案和欧姆接触层的图案之间。如此，本实用新型实施例在原有七次掩模制程之上减少一次掩模工艺，大大降低了生产成本，提高产品良率，且还能达到沟道的免刻蚀形成，从而从根源上避免了沟道产生的工艺不良。

附图说明

图1-1为现有的阵列基板的平面示意图；

图1-2为图1-1的A-B向剖视图；

图1-3为现有的阵列基板第一次掩模工艺后形成的结构示意图；

图1-4为现有的阵列基板第二次掩模工艺后形成的结构示意图；

图1-5为现有的阵列基板第三次掩模工艺后形成的结构示意图；

图1-6为现有的阵列基板第四次掩模工艺后形成的结构示意图；

图1-7为现有的阵列基板第五次掩模工艺后形成的结构示意图；

图1-8为现有的阵列基板第六次掩模工艺后形成的结构示意图；

图2-1为本实用新型实施例阵列基板第一次掩模工艺后形成的结构示意图；

图2-2为本实用新型实施例阵列基板第二次掩模工艺的第一步骤后形成的结构示意图；

图2-3为本实用新型实施例阵列基板第二次掩模工艺的第二步骤后形成的结构示意图；

图2-4为本实用新型实施例阵列基板第二次掩模工艺的第三步骤后形成的结构示意图；

图2-5为本实用新型实施例阵列基板第三次掩模工艺的第一步骤后形成的结构示意图；

图2-6为本实用新型实施例阵列基板第三次掩模工艺的第二步骤后形成的结构示意图；