[实用新型]一种三维互连结构

权利要求书

1.一种三维互连结构，其特征在于，所述三维互连结构至少包括第一正面金属布线层和第一背面金属布线层，其包括，

半导体衬底，所述半导体衬底包括相对的正面和背面；所述半导体衬底上具有贯穿正面和背面的梯形孔，所述梯形孔在所述半导体衬底正面的开口大于在所述半导体衬底背面的开口；

位于所述半导体衬底正面上方以及所述梯形孔斜面上方的正面绝缘层；

位于所述正面绝缘层上方的第一正面金属布线层，所述第一正面金属布线层包括两个断开的第一正面金属布线子层；

位于所述第一正面金属布线层上方的第一正面介质层；其中，所述第一正面介质层上包括多个预定开口，所述预定开口内形成有用于将所述第一正面金属布线层引出的互连；其中，位于所述三维互连结构的最外层的正面介质层还填充所述梯形孔；

位于所述半导体衬底背面下方以及所述正面介质层下方的背面绝缘层，所述背面绝缘层在所述梯形孔斜面上的靠近所述梯形孔底部的正面金属布线层的下方形成开口；

依次位于所述背面绝缘层以及所述位于所述梯形孔斜面上的靠近所述梯形孔底部的正面金属布线层下方的第一背面金属布线层和第一背面介质层；

其中，所述第一背面金属布线层包括至少两个断开的、相互绝缘的第一背面金属布线子层，每个所述第一背面金属布线子层还填充所述背面绝缘层上的开口并通过所述背面绝缘层上的开口与所述正面金属布线层连接；

所述第一背面介质层上形成有预定开口，所述预定开口内形成有用于将所述第一背面金属布线层引出的互连，并在每个所述第一背面金属布线子层下方形成有一个互连。

2.根据权利要求1所述的三维互连结构，其特征在于，所述三维互连结构包括m层正面金属布线层和m层正面介质层；

其中，第i+1正面金属布线层位于第i正面介质层的上方，所述第i正面介质层上设置有多个预定开口，所述预定开口内形成有用于将第i-1正面金属布线层引出的互连，其中，用于将第i-1正面金属布线层引出的互连与用于将第i正面金属布线层引出的互连相互绝缘；

其中，m≥2，2≤i≤m。

3.根据权利要求1或2所述的三维互连结构，其特征在于，所述三维互连结构包括n层背面金属布线层和n层背面介质层；

其中，第j背面介质层位于第j背面金属布线层的下方，所述第j背面金属布线层包括多个断开的、相互绝缘的第j背面金属布线子层；

所述第j背面介质层上设置有多个预定开口，所述预定开口内形成有用于将第j背面金属布线层引出的互连，其中，用于将第j-1背面金属布线层引出的互连与用于将第j背面金属布线层引出的互连相互绝缘；

其中，n≥2，2≤j≤n。

4.根据权利要求1或2所述的三维互连结构，其特征在于，所述正面金属布线层上和/或所述背面金属布线层上的金属布线为单端线、差分连接线。

5.根据权利要求1或2所述的三维互连结构，其特征在于，所述正面金属布线层和/或所述背面金属布线层上的金属布线为普通互连线、共面波导、微带线、带地的共面波导微带线或带状线。