[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320588505.5 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456514U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示领域,尤其涉及一种电致发光装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),又称有机电激光显示(Organic Electroluminescence Display,OELD),由于同时具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、使用温度范围广、构造及制程简单等优异特性,近来已普遍应用于移动通信终端、个人数字助理(PDA)、掌上电脑等。OLED装置分为无源矩阵型和有源矩阵型OLED装置,其中有源矩阵型OLED是指每个OLED都由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)电路来控制流过OLED的电流,具有发光效率高和图像显示效果好的特点。
一种现有有源矩阵型OLED显示装置如图1所示,制备时先分别形成彩膜基板10和阵列基板20,其中具体地,彩膜基板制程为:在第一基板11上依次形成彩色滤光层、平坦层13、第一电极14、有机发光层(Organic Electro-Luminescence,有机EL)15和第二电极16,其中彩色滤光层由黑矩阵121及由黑矩阵121分隔开的色阻块122构成;阵列基板制程为:在第二基板21形成薄膜晶体管22阵列,在薄膜晶体管22阵列上覆盖一层保护层23,再在保护层23上形成连接电极24,连接电极24通过保护层23中的过孔与薄膜晶体管22的漏极电连接。最后,在彩膜基板10和阵列基板20的边缘涂敷封框胶30,将彩膜基板10、阵列基板20进行对盒,使第二电极16与阵列基板20上的连接电极24一一对应接触,从而实现电连接。
发明人发现现有OLED显示装置中至少存在如下问题:有机发光层15直接处于彩膜基板10、阵列基板20和封框胶30围成的空间中,因封框胶30的密封效果不够,空气中的氧和水蒸汽极容易破坏有机发光层15,导致OLED显示装置的使用寿命及可靠性受到影响。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种电致发光装置,能够提升电致发光装置的可靠性,延长其使用寿命。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
第一方面,本实用新型的实施例提供一种电致发光装置,包括:彩膜基板;所述彩膜基板包括:第一基板,依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极;所述彩膜基板还包括:第一保护层,设置在所述第二电极上,且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层;第一连接电极,设置于所述第一保护层之上,且与所述第二电极相连接。
结合第一方面,在第一方面的第一种可能的实现方式中,在所述第一连接电极的预设位置,所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起,形成凸台;在所述凸台处,所述第一保护层设置有第一保护层过孔;所述第一连接电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二电极。
结合第一方面,在第一方面的第二种可能的实现方式中,所述彩膜基板还包括:设置在所述第一基板和所述第一电极之间的彩色滤光层;所述彩色滤光层包括:黑矩阵,由所述黑矩阵分隔开的色阻块;所述第二电极位于所述色阻块的对应位置,所述第一连接电极设置在所述黑矩阵的对应位置;在对应所述第一连接电极的区域,所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起,形成凸台,且所述第一保护层在所述第二电极所在处设置有窗口,所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出;所述第一连接电极设置在所述凸台上,且所述第一连接电极延伸至所述窗口,部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
结合第一方面的第二种或第三种可能的实现方式中,在第一方面的第四种可能的实现方式中,所述凸台的高度为1.5~2.5微米。
结合第一方面的第二种或第三种可能的实现方式,在第一方面的第五种可能的实现方式中,所述第一连接电极的厚度为0.3~1微米。
结合第一方面的任何可能的实现方式,在第一方面的第六种可能的实现方式中,所述第一保护层选用下述之一材料制成,或者下述多种材料制成的复合膜层:氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
可选地,所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂,或者聚酰亚胺类树脂,或者聚酰胺类树脂。
结合第一方面,在第一方面的第七种可能的实现方式中,所述的装置还包括:阵列基板;所述阵列基板包括:第二基板;依次设置在第二基板上的薄膜晶体管,覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层,以及设置在所述保护层之上的第二连接电极;所述保护层设置有保护层过孔,所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择