[实用新型]电致发光装置有效
申请号: | 201320588505.5 | 申请日: | 2013-09-23 |
公开(公告)号: | CN203456514U | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 程鸿飞;张玉欣 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
1.一种电致发光装置,包括:彩膜基板;所述彩膜基板包括:第一基板,依次设置于所述第一基板上的第一电极、有机发光层和第二电极;其特征在于,所述彩膜基板还包括:
第一保护层,设置在所述第二电极上,且包覆所述第二电极及第二电极下方的有机发光层;
第一连接电极,设置于所述第一保护层之上,且与所述第二电极相连接。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,在所述第一连接电极的预设位置,所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起,形成凸台;
在所述凸台处,所述第一保护层设置有第一保护层过孔;所述第一连接电极通过所述第一保护层过孔连接至所述第二电极。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述彩膜基板还包括:设置在所述第一基板和所述第一电极之间的彩色滤光层;所述彩色滤光层包括:黑矩阵,由所述黑矩阵分隔开的色阻块;
所述第二电极位于所述色阻块的对应位置,所述第一连接电极设置在所述黑矩阵的对应位置;
在对应所述第一连接电极的区域,所述第一保护层向靠近第一连接电极的一侧凸起,形成凸台,且所述第一保护层在所述第二电极所在处设置有窗口,所述第二电极的部分或全部自所述窗口露出;
所述第一连接电极设置在所述凸台上,且所述第一连接电极延伸至所述窗口,部分覆盖或全部覆盖所述第二电极的裸露部分。
4.根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述凸台的高度为1.5~2.5微米。
5.根据权利要求2或3所述的装置,其特征在于,所述第一连接电极的厚度为0.3~1微米。
6.根据权利要求1-3所述的装置,其特征在于,所述第一保护层选用下述之一材料制成,或者下述多种材料制成的复合膜层:
氮化硅,氧化硅,或者感光树脂。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述感光树脂为:聚丙烯酸类树脂,或者聚酰亚胺类树脂,或者聚酰胺类树脂。
8.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,还包括:阵列基板;所述阵列基板包括:第二基板;依次设置在第二基板上的薄膜晶体管,覆盖于所述薄膜晶体管之上的保护层,以及设置在所述保护层之上的第二连接电极;
所述保护层设置有保护层过孔,所述第二连接电极通过所述保护层过孔连接至所述薄膜晶体管的漏极。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述第二连接电极与所述第一连接电极接触且电连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择