[实用新型]用于集成电路的静电放电器件及二极管阵列

权利要求书

1.一种用于集成电路的静电放电器件，其特征在于，所述静电放电器件包括： 

硅衬底； 

在所述硅衬底中形成的第一对称结二极管，所述第一对称结二极管被配置为经由未封装的互连接线提供低电压和电流放电； 

在所述硅衬底中形成的第二对称结二极管，所述第二对称结二极管被配置为经由封装的互连接线提供高电压和电流放电；以及 

与所述结二极管的电接触。 

2.根据权利要求1所述的静电放电器件，其特征在于，所述第一对称结二极管具有第一宽度，并且所述第二对称结二极管具有超过所述第一宽度的第二宽度。 

3.根据权利要求2所述的静电放电器件，其特征在于，所述第一对称结二极管和所述第二对称结二极管是p-n结二极管，并且还包括由所述第一对称结二极管的一部分和所述第二对称结二极管的相反带电部分形成的第三不对称p-n结二极管。 

4.一种用于在集成电路中对静电进行释放时使用的二极管阵列，其特征在于，所述二极管阵列包括： 

硅衬底； 

所述硅衬底的第一掺杂区域阵列，所述第一掺杂区域阵列具有渐变宽度并且包含第一掺杂物种类， 

所述硅衬底的第二掺杂区域阵列，所述第二掺杂区域阵列具有渐变宽度并且包含第二掺杂物种类，所述第二阵列与所述第一阵列交错，使得成对的相邻掺杂区域重叠以形成二极管结，每个二极管结以重叠宽度表征；以及 

提供接入以将电信号耦合到所述二极管阵列的互连阵列。 

5.根据权利要求4所述的二极管阵列，其特征在于，还包括在所述硅衬底内的掩埋氧化物层。 

6.根据权利要求5所述的二极管阵列，其特征在于，所述掩埋氧化物层呈现扩散阻挡，所述扩散阻挡确定所述掺杂区域的深度。 

7.根据权利要求4所述的二极管阵列，其特征在于，所述二极管结的所述重叠宽度至少部分由离子注入工艺参数的集合确定。 

8.根据权利要求7所述的二极管阵列，其特征在于，所述离子注入工艺参数的集合包括注入角度和注入能量强度。 

9.根据权利要求4所述的二极管阵列，其特征在于，所述第一掺杂区域阵列的所述渐变宽度基本上匹配所述第二掺杂区域阵列的所述渐变宽度。 

10.根据权利要求4所述的二极管阵列，其特征在于，所述二极管阵列具有至少部分地由离子注入工艺参数的集合确定的二极管密度。 

11.根据权利要求10所述的二极管阵列，其特征在于，所述离子注入工艺参数的集合包括注入角度和注入能量强度。 

12.根据权利要求4所述的二极管阵列，其特征在于，所述第一掺杂物种类是n型，所述第二掺杂物种类是p型，并且还包括在成对的相邻n掺杂区域和p掺杂区域之间的隔离区域。