[实用新型]存放方便的太阳能硅片用石墨舟片有效
| 申请号: | 201320563095.9 | 申请日: | 2013-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN203419982U | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
| 发明(设计)人: | 梁海;毛仕平;何云海 | 申请(专利权)人: | 浙江启鑫新能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 代忠炯 |
| 地址: | 315700 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存放 方便 太阳能 硅片 石墨 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种存放方便的太阳能硅片用石墨舟片。
背景技术
太阳能光伏产业链由多晶硅材料制造-硅锭/多晶硅片(单晶硅片)生产-多晶(单晶)太阳能电池片制造一组件以及光伏发电系统建设构成实用的户用系统或联网系统等多个产业环节组成。多晶硅材料制造属于产业链的上游,制造的多晶硅片或单晶硅片作为太阳能电池生产作基板材料,制造多晶硅电池片或单晶硅电池片进行组件封装。
石墨舟是在太阳能硅片PECVD镀膜过程使用的一种工具,把硅片放在石墨舟中然后置于一定的化学反应条件下,实现在硅片表面上镀一层膜,从而提高硅片的太阳能转化率。
石墨舟,一般包括石墨舟片片,石墨棒,石墨螺母,陶瓷管,石墨安装孔等;石墨舟片片通过石墨棒穿插入石墨安装孔内并排连接;石墨舟片片彼此之间通过套设在石墨棒上的陶瓷管等间接间隔开来;所述的每片石墨舟片片上设有硅片定位腔体,每个硅片定位腔体外边缘设有固定硅片的固定工艺点,上面设有圆形卡点,用于放置硅片。
上述这种石墨舟片,一般一种石墨舟片只能固定放置一种规格的硅片;要对不同规格的硅片进行镀膜,就需要购买不同规格的石墨舟片,造成生产成本提高,且存放不方便的缺点。
实用新型内容
本实用新型针对现有技术的上述不足,提供一种可灵活调节硅片位置,能适用多种规格硅片使用的存放方便的太阳能硅片用石墨舟片。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案为:一种存放方便的太阳能硅片用石墨舟片,包括石墨舟片本体,设置于石墨舟片本体上的若干硅片定位腔体;所述的每个硅片定位腔体外边缘设有固定硅片的固定工艺点,所述的固定工艺点包括第一固定工艺点、第二固定工艺点和第三固定工艺点;每个固定工艺点上均设有用于放置硅片的卡点,其特征在于:所述的第三固定工艺点上方还设有第四固定工艺点,所述的卡点为菱形卡点。
采用上述结构,当需要放置不同规格的硅片时,通过旋转菱形卡点,实现硅片位置的调节;如果硅片规格太小,仍无法实现其准确定位,还可以将设在第三固定工艺点上的菱形卡点上移到第四固定工艺点上,从而实现小规格硅片的准确定位。因此,本实用新型的上述石墨舟片具有调节灵活,适用性广,无需购买多种规格石墨舟片、降低生产成本的优点。而且菱形卡点比传统的圆形卡点对硅片的遮盖面积小,因此,有效保证硅片整体的镀膜效果。
作为优选,所述的石墨舟片外表面设有减少折射率(低折射率)的镀膜,采用上述结构,在PECVD镀膜过程中,可以进一步减少硅片的折射率,从而进一步提高硅片的太阳能转化率。
作为优选,所述的第三固定工艺点或第四固定工艺点距离第一固定工艺点或第二固定工艺点的水平距离为62-78mm,采用上述结构既能保证硅片的卡接牢固,又能节省空间。
附图说明
图1本实用新型存放方便的太阳能硅片用石墨舟片结构示意图。
图2本实用新型存放方便的太阳能硅片用石墨舟片横截面结构示意图。
如图所示:1、石墨舟片本体,1.1.第一固定工艺点,1.2.第二固定工艺点,1.3.第三固定工艺点,1.4.第四固定工艺点,2、硅片定位腔体,3、卡点,4、硅片,5.镀膜。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例,进一步描述本实用新型。
如附图所示,本实用新型的存放方便的太阳能硅片用石墨舟片,
一种存放方便的太阳能硅片用石墨舟片,包括石墨舟片本体1,设置于石墨舟片本体1上的若干硅片定位腔体2;所述的每个硅片定位腔体2外边缘设有固定硅片的固定工艺点,所述的固定工艺点包括第一固定工艺点1.1、第二固定工艺点1.2和第三固定工艺点1.3;每个固定工艺点上均设有用于放置硅片4的卡点3,其特征在于:所述的第三固定工艺点上方还设有第四固定工艺点1.4,所述的卡点3为菱形卡点。
采用上述结构,当需要放置不同规格的硅片时,通过旋转菱形卡点,实现硅片位置的调节;如果硅片规格太小,仍无法实现其准确定位,还可以将设在第三固定工艺点上的菱形卡点上移到第四固定工艺点上,从而实现小规格硅片的准确定位。因此,本实用新型的上述石墨舟片具有调节灵活,适用性广的优点。
本实用新型所述的石墨舟片外表面设有减少折射率的镀膜5(也可称为低折射率镀膜,如氮化硅膜,其折射率在1.9---2.3之间),采用上述结构,在PECVD镀膜过程中,可以进一步减少硅片的折射率,从而进一步提高硅片的太阳能转化率。
本实用新型所述的第三固定工艺点或第四固定工艺点距离第一固定工艺点或第二固定工艺点的水平距离为62-78mm,采用上述结构既能保证硅片的卡接牢固,又能节省空间。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





