[实用新型]芯片传输保护装置有效
申请号: | 201320558212.2 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN203445105U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 杨健;陈思安;张珏;朱瑜杰;孙强 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;B08B5/04 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 传输 保护装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体设备领域,特别是涉及一种芯片传输保护装置。
背景技术
半导体晶片从生产制造到运送,都需在密闭无尘的条件下进行。传统以洁净室生产晶片的方式是将生产设备置于洁净室内。然而建设一级(class1)洁净室需要昂贵的建设成本,并且还需要额外的运营及净化服务成本以维护该设施。为了提高生产效率,降低晶片厂的建设和运营费用,标准机械界面(SMIF,Standard Mechanical Interface)得以应用和推广。
SMIF主要包括一升降梯,从外界接收放置于晶盒(Pod)中的晶圆(装载于cassette中),使得cassette处于适当的位置,以便于抓取所需要的晶圆至设备中加以处理。
在生产中由于生产操作人员操作不当或长时间与晶盒磨擦造成SMIF产生各种缺陷,例如形成大量SMIF涂层碎屑。这些碎屑会随着生产过程逐渐的粘附晶盒上在生产间扩散,或者由于设备中的风压直接吹到晶圆(wafer)上,都会影响到晶圆的质量,形成缺陷。
当前的主要补救措施是通过定期清洁SMIF,来去除产生的碎屑,降低由SMIF磨损造成的产品污染。随着时间的延续,当对清洁力度需求增强时,只能进行SMIF的更换。这势必会浪费大量的人力,在生产中是极不合适的。
因此,有必要对现有技术中的SMIF加以改善,降低SMIF上产生的碎屑。
实用新型内容
本实用新型的目的在于,提供一种芯片传输保护装置,以减少SMIF上产生的碎屑,降低对产品的影响。
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种芯片传输保护装置,设置于SMIF上方,用于降低晶盒与SMIF的摩擦,包括:
挡板,所述挡板用于支撑晶盒;
沉降系统,所述沉降系统一端连接于所述挡板,在晶盒放置于挡板上后沉降系统开始下降,直至晶盒与SMIF接触;
清洁系统,所述清洁系统靠近所述SMIF上表面,当沉降系统下降时,清洁系统开始工作。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述芯片传输保护装置包括第一部分和第二部分,所述第一部分和第二部分相互对称。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述第一部分包括:所述挡板,挡板两端设置有垂直于所述挡板并相互平行的两个支架,所述挡板和两个支架呈“H”型。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述沉降系统设置于所述支架中且连接于所述的挡板。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述沉降系统为弹簧或者气压式结构。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述清洁系统位于所述挡板下方并与所述两个支架连接固定。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述清洁系统为抽气管道,所述抽气管道的抽气口朝向所述SMIF上表面。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述芯片传输保护装置还包括传感器,所述传感器设置于所述支架上。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述挡板到所述SMIF的距离大于所述晶盒底面到该晶盒的把手的垂直距离。
可选的,对于所述的芯片传输保护装置,所述挡板到所述SMIF的距离比所述晶盒底面到该晶盒的把手的垂直距离大5cm-10cm。
与现有技术相比,本实用新型提供的芯片传输保护装置,包括挡板,沉降系统及清洁系统。相比现有技术,当晶盒放置时,会首先接触挡板,在重力作用下使得沉降系统开始运作,同时触发清洁系统,使得SMIF表面整洁,减少SMIF表面与晶盒底面之间的微粒,从而降低摩擦,并且能够及时将摩擦产生的碎屑吸走,保证了SMIF的整洁性。
附图说明
图1为本实用新型一实施例中芯片传输保护装置的流程图;
图2为本实用新型一实施例中芯片传输保护装置的第一部分的示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本实用新型的芯片传输保护装置进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型,而仍然实现本实用新型的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本实用新型的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造