[实用新型]研磨垫调整器及研磨装置有效
申请号: | 201320557966.6 | 申请日: | 2013-09-09 |
公开(公告)号: | CN203438064U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 邓武锋 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | B24B37/34 | 分类号: | B24B37/34 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 调整器 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种研磨垫调整器及研磨装置。
背景技术
现如今化学机械研磨工艺广泛用于半导体制造领域,例如对金属薄膜或者介质层薄膜进行研磨均需要采用化学机械研磨工艺。
请参考图1,图1为现有技术中研磨装置的结构示意图,现有技术中,研磨装置包括研磨台10、放置于研磨台10表面的研磨垫40、位于研磨垫40上方的研磨头(图未示)、研磨液喷头(图未示)和研磨垫调整器30;其中,所述研磨垫调整器30包括一金刚钻头31,所述金刚钻头31与所述研磨垫40的表面平行相对,述研磨垫调整器30连接一活动臂20,所述活动臂20能够自由使所述研磨垫调整器30紧贴所述研磨垫40的表面并进行摆动,从而能够对所述研磨垫40进行平整处理。
然而,由于半导体晶圆在所述研磨垫40的表面进行研磨的过程中,会有研磨出的薄膜残留物粘附于所述研磨垫40的表面,然而,在所述研磨垫调整器30对所述研磨垫40进行平整处理时,也会将残留物按压至所述研磨垫40内,使之无法被去除;当残留物过多时,足以在所述半导体晶圆的表面产生刮伤缺陷,影响所述半导体晶圆的良率,甚至导致其报废。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种研磨垫调整器及研磨装置能够去除研磨过程中产生的污染物,避免对半导体晶圆产生刮伤。
为了实现上述目标,本实用新型提出了一种研磨垫调整器,用于对研磨垫进行平整化处理,包括:
外框、调整头、入液管、排液管以及毛刷;其中,所述调整头设于所述外框内,并使所述调整头与研磨垫相对的表面暴露出,所述毛刷设于所述调整头与所述研磨垫相对的表面上,所述调整头设有毛刷的表面还设有若干小孔,所述入液管设于所述调整头内,并贯穿所述调整头设有毛刷的表面以及与设有毛刷表面平行的另一表面,所述排液管设于所述调整头和外框内,并与所述小孔连通。
进一步的,在所述的研磨垫调整器中,所述毛刷充满所述调整头的表面并均匀排列。
进一步的,在所述的研磨垫调整器中,所述小孔呈“V”字型排列在所述调整头设有毛刷的表面。
进一步的,在所述的研磨垫调整器中,所述毛刷均匀排列在所述小孔周围。
进一步的,在所述的研磨垫调整器中,所述外框和调整头的材质均为不锈钢。
进一步的,本实用新型还提出一种研磨装置,包括:
研磨垫、研磨头、研磨液喷头以及如上文所述的任意一种研磨垫调整器;所述研磨头和研磨垫调整器均设于所述研磨垫的表面,所述研磨液喷头位于所述研磨垫的上方,所述研磨头、研磨液喷头以及研磨垫调整器彼此独立。
进一步的,在所述的研磨装置中,所述研磨装置还包括位于所述研磨垫上方的等离子水喷头,所述等离子水喷头与所述研磨头、研磨液喷头以及研磨垫调整器相互独立。
进一步的,在所述的研磨装置中,所述研磨装置还包括一旋转臂,所述旋转臂与所述研磨垫相互独立,所述研磨垫调整器固定在所述旋转臂上。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果主要体现在:在研磨垫调整器中设有入液管、排液管以及毛刷,在对研磨垫进行平整化处理时,由入液管充入一定的液体或气体至所述研磨垫的表面,结合所述毛刷对所述研磨垫的洗刷,能够去除残留在研磨垫表面的残留物,同时残留物能够随着液体和气体从排液管排出,从而能够避免残留物聚积在所述研磨垫的表面,防止对半导体晶圆进行刮伤。
附图说明
图1为现有技术中研磨装置的结构示意图;
图2为本实用新型实施例一和实施例二中研磨垫调整器的剖面结构示意图;
图3为本实用新型实施例一中研磨垫调整器的仰视图;
图4为本实用新型实施例二中研磨垫调整器的仰视图;
图5为本实用新型实施例一和实施例二中研磨装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本实用新型的研磨垫调整器及研磨装置进行更详细的描述,其中表示了本实用新型的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型,而仍然实现本实用新型的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本实用新型的限制。
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