[实用新型]一种衰减器电路结构

说明书

技术领域

本实用新型属于通信技术领域，具体涉及一种衰减器电路结构的设计。

背景技术

微波数字衰减器是实现微波增益控制的一种主要元件，在微波通信系统中起到了非常重要的作用。数字衰减器具有工作频带宽，衰减精度高，驻波较好，衰减动态范围大，稳定性好以及易于控制等优点因而被广泛采用。微波数字衰减器主要用于调整微波信号的输出功率。例如在微波接收机中，实现自动增益控制，改善动态范围；在相控阵雷达以及智能天线中，与数字移相器一起改变天线单元激励的幅度和相位，以控制数字波束的方向，波束数量，主旁瓣比等，从而实现波束的电控扫描。

微波数字衰减器的衰减性能主要由其衰减电路决定。目前的T型衰减器所适用的衰减范围较小，不能适应较大衰减量的要求，而且当衰减器处于参考态时，T型网络的并联接地支路的开关不能很好的隔离微波信号，大大降低了信号的输出功率。

实用新型内容

为了解决现有T型衰减器衰减范围小、参考态时信号泄露等问题，本实用新型提供一种新型的衰减器电路结构。

为解决上述技术问题，本实用新型采用以下技术方案：

一种衰减器电路结构，包括由3个电阻组成的T型衰减电路，所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）作为开关，其特征在于：所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个FET作为开关。

进一步地，所述三个FET的栅极处均施加有控制其导通及夹断的栅极电压。

进一步地，所述衰减器电路结构形式为单片微波集成电路。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

首先，本实用新型的衰减器电路结构采用串联的两个FET作为T型衰减网络并联接地支路的开关，一方面，当衰减器处于参考态时，大大降低了微波信号泄漏到衰减电路的可能性，另一方面，当衰减器处于衰减态时，两个FET作为衰减器电路的一部分，也提高了衰减器的衰减范围；

其次，本实用新型的衰减器电路结构基于单片微波集成电路技术，整个衰减器电路的尺寸在芯片级别，大大减小了衰减器尺寸，便于与其他元器件集成。

附图说明

图1为本实用新型的衰减器电路结构的示意图；

图2为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时参考态和衰减态时的输入输出回波损耗仿真图；

图3为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时的衰减量；

图4为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时的附加相移；

图5为实施例中的衰减器电路结构在4dB衰减位时参考态时的损耗。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

如图1所示，本实施例中的衰减器电路结构包括由3个电阻R1、R2和R3组成的T型衰减电路，其中A为输入端，B为输出端，R1与R2大小相等，T型衰减电路的非并联接地支路采用FET1作为开关、接地并联支路采用串联的FET2和FET3作为开关，FET1、FET2和FET3的栅极4、5、6处均施加有栅极电压，通过调节栅极电压的大小来控制FET1、FET2和FET3的导通及夹断。

当需要衰减器处于参考态时，在FET1的栅极4上加一个导通电压使FET1处于导通状态，而在FET2和FET3的栅极5、6上加上相同的夹断电压使FET2和FET3处于夹断状态；当需要衰减器处于衰减态时，在FET1的栅极4上加上一个夹断电压使FET1处于断开状态，在FET2和FET3的栅极5、6上加上相同的导通电压，使FET2和FET3同时处于导通状态即可，操作非常简便。当衰减器处于参考态时，由于两个FET将衰减器衰减电路的并联接地支路断开，因此微波信号泄漏到衰减电路的可能性大大降低；当衰减器处于衰减态时，FET2和FET3作为衰减电路的一部分，也可以提高了衰减器的衰减范围。

为了减少衰减器的尺寸，便于与其他元器件集成、连接，本实施例中的衰减器电路结构形式为单片微波集成电路技术，其尺寸仅为芯片级。