[实用新型]一种衰减器电路结构有效

专利信息
申请号: 201320537955.1 申请日: 2013-08-30
公开(公告)号: CN203387476U 公开(公告)日: 2014-01-08
发明(设计)人: 钟毅茨;王磊;张铁笛;邹盼希;张勇 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人: 周永宏
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 衰减器 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种衰减器电路结构,包括由3个电阻组成的T型衰减电路,所述T型衰减电路的非并联接地支路采用一个场效应晶体管作为开关,其特征在于:所述T型衰减网络的接地并联支路采用串联的两个场效应晶体管作为开关。

2.根据权利要求1所述的衰减器电路结构,其特征在于:所述场效应晶体管的栅极处施加有控制场效应晶体管导通及夹断的栅极电压。

3.根据权利要求1或2所述的衰减器电路结构,其特征在于:该衰减器电路结构的形式为单片微波集成电路。

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